|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Aromatic-like carbon nanostructures created on the vicinal SiC surfaces
Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2436
-
Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2294–2297
-
Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$
Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 17–20
-
Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)
Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 50–58
-
Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$
Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1348–1352
-
Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 465–469
-
Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$
Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 51–57
-
Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия
Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012), 363–366
-
Электронная структура границы раздела Ва/$n$-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа
Письма в ЖЭТФ, 91:12 (2010), 739–743
-
Эффект самоорганизации наноструктур на поверхности $n$-GaN(0001) при адсорбции Cs и Ва
Письма в ЖЭТФ, 87:2 (2008), 119–123
-
Аккумуляционный зарядовый слой на поверхности $n$-GaN (0001) с ультратонкими Ва покрытиями
Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 642–645
-
Осцилляции в спектрах пороговой фотоэмиссии GaN (0001) с субмонослойными Cs покрытиями
Письма в ЖЭТФ, 77:5 (2003), 270–274
-
Возбуждение 2D плазмонов в системе Cs/W(110)
Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001), 88–91
-
Формирование двумерных электронных зон в системе W (110)$-$Ba при субмонослойных покрытиях
Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1646–1652
© , 2024