Тимошнев Сергей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электронная структура термически окисленного вольфрама
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1166–1171
2. Электронная структура ультратонкой пленки окисла молибдена
   
   Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1618–1626
3. Влияние адсорбции атомов натрия и прогрева на наночастицы золота, адсорбированные на вольфраме
   
   Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1171–1178
4. Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1395
5. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
6. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
7. Aromatic-like carbon nanostructures created on the vicinal SiC surfaces
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2436
8. Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2294–2297
9. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
10. Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе
    
    Физика твердого тела, 61:11 (2019),  2024–2029
11. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
12. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
13. Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  17–20
14. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
15. Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  524
16. Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  50–58
17. Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  87–94
18. Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  465–469
19. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  51–57
20. Электронная структура границы раздела Ва/$n$-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:12 (2010),  739–743
21. Эффект самоорганизации наноструктур на поверхности $n$-GaN(0001) при адсорбции Cs и Ва
    
    Письма в ЖЭТФ, 87:2 (2008),  119–123