RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Засавицкий Иван Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Квантовый каскадный лазер с оптическими переходами "связанное состояние – квазиконтинуум", работающий при температуре до 371 K

    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  710–713
  2. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1486–1490
  3. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaInAs/AlInAs с длиной волны излучения 5.6 мкм

    Квантовая электроника, 48:5 (2018),  472–475
  4. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1697–1700
  5. Твердый раствор Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te (0 $\le x \le$ 1) – материал для вертикально-излучающих лазеров в средней инфракрасной области спектра 4–5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  229–235
  6. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии

    Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450
  7. Уширение и расщепление спектров излучения квантового каскадного лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующем магнитном поле

    Квантовая электроника, 43:2 (2013),  144–146
  8. Схемы активной области в квантовых каскадных лазерах

    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  863–873
  9. Квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии

    Квантовая электроника, 40:2 (2010),  95–97
  10. Излучательные переходы на локализованные состояния Eu в твердом растворе Pb${}_{1-x}$Eu${}_x$Te

    Письма в ЖЭТФ, 87:9 (2008),  584–587
  11. Энергетический спектр квантовых ям в структурах типа PbTe/PbEuTe из данных по фотолюминесценции

    Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002),  676–679
  12. Кинетика и спектр фотопроводимости гетероструктур PbTe/Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, выращенных на подложках BaF$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2031–2039
  13. Деформационные потенциалы PbTe

    Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1086–1093
  14. Квантово-размерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Se, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1437–1443
  15. Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pb$_{1-x}$Sn$_{x}\text{Te}\langle\text{In}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2019–2026
  16. Инжекционные лазеры на основе нитевидных кристаллов PbTe

    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  675–678
  17. Спиновое расщепление в полумагнитных полупроводниках типа A$^{4}$B$^{6}$

    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1669–1674
  18. Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$

    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2118–2123
  19. Отрицательная фотопроводимость и исследование границы раздела в гетеропереходах GaAs$-$AlGaAs с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1223–1229
  20. Внутрирезонаторное детектирование поглощения с помощью перестраиваемого полупроводникового лазера среднего ИК диапазона

    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  582–589
  21. Эффект сверхравновесного заселения возбужденных состояний вырожденных колебательных мод $\mathrm{CO}_2$ в условиях колебательно-поступательной неравновесности

    Докл. АН СССР, 297:5 (1987),  1100–1103
  22. Измерение поступательной температуры неравновесно возбужденного газа методами диодной лазерной спектроскопии

    ЖТФ, 57:6 (1987),  1167–1170
  23. Бесфоновый спектр поглощения Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1789–1795
  24. Определение высоты потенциального барьера в гетеропереходах с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1522–1524
  25. Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  57–62
  26. Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te : In

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  214–220
  27. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbS$_{1-x}$Se$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)

    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2149–2153
  28. О ян-теллеровском центре в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1058–1063
  29. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 1}$)

    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  627–631
  30. Применение спектрометра на диодных лазерах для определения содержания $B\,Cl_3$ в $Ge\,Cl_4$

    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  595–599
  31. Измерение параметров частотных флуктуаций диодного импульсно-периодического лазера

    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  385–387
  32. Применение диодных лазеров среднего ИК диапазона в спектральном газоанализе

    ЖТФ, 54:8 (1984),  1542–1551
  33. Исследование уширения линий поглощения молекулярных газов методами импульсной диодной лазерной спектроскопии

    Квантовая электроника, 11:12 (1984),  2443–2451
  34. Пикосекундный параметрический генератор света с усилением излучения перестраиваемого полупроводникового лазера

    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  203–205
  35. Кинетика фотопроводимости в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te : In

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2184–2189
  36. Влияние гидростатического давления на спектры примесной фотопроводимости в теллуре

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  69–72
  37. Диодный лазер среднего ИК диапазона с внешним резонатором

    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  445–447
  38. Трассовый измеритель концентрации окиси углерода в атмосфере на основе импульсных диодных лазеров

    Квантовая электроника, 9:3 (1982),  531–536
  39. Лазерная спектроскопия составного колебания $\nu_2+\nu_4$ молекулы $CF_4$ и перестроечные кривые $CF_4$-лазера

    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1885–1894
  40. Колебательно-вращательные спектры полосы $\nu_3$ газа ${}^{192}OsO_4$, полученные с помощью диодного лазера

    Квантовая электроника, 7:4 (1980),  908–911
  41. Гетеролазеры с оптической накачкой на основе четырехкомпонентных твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se$_{1-y}$Te$_y$ с согласованными решетками на гетерогранице

    Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2630–2633
  42. Перестраиваемый давлением инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe

    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  692–694
  43. Многокомпонентные твердые растворы соединений AIVBVI

    Квантовая электроника, 4:4 (1977),  904–907

  44. Исследование распределения молекул CO$_2$ по колебательно-вращательным уровням в тлеющем разряде методом импульсной диодной лазерной спектроскопии

    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  851–859

© МИАН, 2024