|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Эффекты туннелирования в сильно анизотропных слоистых сверхпроводниках
УФН, 194:7 (2024), 740–752
-
Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром
Физика твердого тела, 63:12 (2021), 1983–1993
-
Effective mass and $g$-factor of two-dimensional HgTe $\Gamma_8$-band electrons: Shubnikov–de Haas oscillations
Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 830
-
Анизотропия эффекта Холла в квазидвумерном электронно-легированном сверхпроводнике Nd$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4+\delta}$
Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2121–2124
-
Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1447–1454
-
Модель “петли экстремумов” для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1291–1294
-
Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 16–22
-
Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1630
-
The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 281
-
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1669–1674
-
Влияние нестехиометрического беспорядка на температурную зависимость верхнего критического поля в электронных сверхпроводниках Nd${}_{2-x}$Ce${}_x$CuO${}_{4+\delta}$
Письма в ЖЭТФ, 88:2 (2008), 132–136
© , 2024