Седова Ирина Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотопроводимость и поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах $p$-GaAs/AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  629–636
2. Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1011–1017
3. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151
4. Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158
5. Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  908–916
6. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой
   
   Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
7. Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  94–102
8. Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1138–1145
9. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  56–62
10. Фотоотражение антимонида индия
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2307–2313
11. Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179
12. Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  108–113
13. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1726
14. Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 42:24 (2016),  64–71
15. Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  40–48
16. Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422
17. Магнитооптика гетероструктур (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe с малым разрывом потенциала валентной зоны
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  922–926
18. Evidence for Mn$^{2+}$ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008),  724–728
19. Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1097–1100
20. Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  909–911