RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Сорокин Сергей Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Фотопроводимость и поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах $p$-GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  629–636
  2. Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1011–1017
  3. Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158
  4. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой

    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
  5. Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  94–102
  6. Интерференционное усиление конверсии поляризации света от структур с квантовой ямой

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2148–2153
  7. Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179
  8. Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe

    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  108–113
  9. Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 42:24 (2016),  64–71
  10. Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  40–48
  11. Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422
  12. Магнитооптика гетероструктур (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe с малым разрывом потенциала валентной зоны

    Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  922–926
  13. Evidence for Mn$^{2+}$ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality

    Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008),  724–728
  14. Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1097–1100
  15. Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур

    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  909–911


© МИАН, 2024