Зегря Георгий Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Скорость горения и время срабатывания воспламенительных составов на основе пористого кремния
   
   Письма в ЖТФ, 51:7 (2025),  43–45
2. Особенности инициирования сильноточным электронным пучком энергокомпозитов на основе пористого кремния с добавками борида и графена
   
   ЖТФ, 94:1 (2024),  119–124
3. Конкуренция между изотропным и сильно анизотропным вкладами в темп ударной ионизации в прямозонных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  620–628
4. Предельная толщина стенок пор, формирующихся в процессах анодного травления сильнолегированных полупроводников
   
   ЖТФ, 93:2 (2023),  281–285
5. Оптическое и электронно-пучковое инициирование пленок пористого кремния с различным содержанием окислителя и графена
   
   ЖТФ, 92:11 (2022),  1699–1704
6. Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  479–485
7. Скорость горения порошкообразного пористого кремния в условиях ограниченного пространства
   
   Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  7–10
8. Пьезоэлектрические свойства пористого кремния
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:10 (2021),  680–684
9. Лазерный эффект при взрыве пористого кремния
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:4 (2021),  263–268
10. Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions
    
    ЖТФ, 91:2 (2021),  367
11. Энергетический спектр электронов глубоких примесных центров в широкозонных полупроводниках мезоскопических размеров
    
    Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020),  807–812
12. Лазерное инициирование энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1708–1714
13. Чувствительность к механическим воздействиям бинарных смесей на основе нанопористого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  48–51
14. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
15. Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1575–1584
16. Возможности энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния (обзор и новые результаты)
    
    ЖТФ, 89:3 (2019),  397–403
17. Механизм генерации синглетного кислорода на поверхности возбужденного нанопористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1485–1496
18. Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  450–455
19. Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  273–276
20. Влияние уровня легирования исходных монокристаллов кремния на параметры структуры пористого кремния, полученного методом электрохимического травления
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  3–6
21. Влияние добавок шунгита на электрический пробой перхлората аммония
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  44–46
22. Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности $kP$-гамильтониана
    
    Письма в ЖТФ, 45:10 (2019),  9–12
23. Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  207–220
24. Механизм генерации синглетного кислорода в присутствии возбужденного нанопористого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 44:11 (2018),  53–62
25. О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:9 (2017),  554–558
26. Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1196–1201
27. Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  501–506
28. Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  57–63
29. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800
30. Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  318–323
31. Генерация чисто спиновых токов при фотоионизации квантовых ям
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  40–42
32. Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002),  258–262
33. Новый механизм охлаждения квантовых систем током
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:6 (2001),  346–351
34. Длинноволновый сдвиг края усиления в полупроводниковых гетеролазерах
    
    Физика твердого тела, 34:4 (1992),  1224–1230
35. Термомагнитная генерация переменного тока при конвективной неустойчивости с обратной связью
    
    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  2980–2984


36. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476
37. Памяти Льва Эммануиловича Гуревича
    
    УФН, 161:6 (1991),  207–209