RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Двуреченский Анатолий Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением

    Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024),  692–696
  2. Обнаружение “медленного” света в спектрах фототока в слоях квантовых точек Ge/Si, сопряженных с фотонным кристаллом

    Письма в ЖЭТФ, 118:4 (2023),  240–244
  3. Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$

    Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  608–613
  4. Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла

    Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  501–506
  5. Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек

    Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021),  58–62
  6. Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе”

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1210–1215
  7. Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  725–728
  8. Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  596–601
  9. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715
  10. Плазмонное усиление поля металлическими субволновыми решетками на кремнии в ближнем ИК-диапазоне

    Письма в ЖЭТФ, 110:6 (2019),  393–399
  11. Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем

    Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019),  258–264
  12. Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1366–1371
  13. Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  206–210
  14. Аналитическое выражение для распределения упругой деформации, создаваемой включением в форме многогранника с произвольной собственной деформацией

    Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1761–1766
  15. Локализация поверхностных плазмонных волн в гибридных фотодетекторах с металлическими субволновыми решетками

    Письма в ЖЭТФ, 108:6 (2018),  399–403
  16. Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1346–1350
  17. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1028–1033
  18. Эффект Холла в прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек

    Письма в ЖЭТФ, 106:5 (2017),  288–292
  19. Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si

    Письма в ЖЭТФ, 105:7 (2017),  419–423
  20. Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками

    Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  845–848
  21. Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей

    Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016),  507–511
  22. Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots

    Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015),  678–682
  23. Температурно-стимулированный переход от макро- к мезоскопическому поведению прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек

    Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  344–347
  24. Unusual narrowing of the ESR line width in ordered structures with linear chains of Ge/Si quantum dots

    Письма в ЖЭТФ, 102:2 (2015),  120–124
  25. Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа

    Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015),  846–850
  26. Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: crossover from one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping

    Письма в ЖЭТФ, 101:1 (2015),  24–28
  27. Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

    Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014),  99–103
  28. Influence of optical phonon confinement on two-phonon capture processes in quantum dots

    Уч. записки ЕГУ, сер. Физика и Математика, 2014, № 2,  50–53
  29. Задача оптимального управления в системе полупроводниковых квантовых точек

    Автомат. и телемех., 2011, № 6,  108–114
  30. Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si

    Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  806–810
  31. Вычислительная технология оптимизации двумерного управляющего импульса напряжения в системе квантовых точек

    Программные системы: теория и приложения, 2:1 (2011),  27–38
  32. Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots

    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  43–46
  33. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si

    Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009),  621–625
  34. Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si

    Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  549–552
  35. Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si

    Письма в ЖЭТФ, 85:9 (2007),  527–532
  36. Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа

    Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006),  189–194
  37. Спиновая релаксация дырок в Ge квантовых точках

    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  336–340
  38. Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si

    Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  367–371
  39. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si

    Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004),  411–415
  40. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si

    Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1077–1081
  41. Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек

    Письма в ЖЭТФ, 78:4 (2003),  276–280
  42. Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек

    Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  445–449
  43. Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек

    Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  113–117
  44. Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si

    Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001),  296–299
  45. Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками

    Письма в ЖЭТФ, 73:10 (2001),  598–600
  46. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками

    УФН, 171:12 (2001),  1371–1373
  47. ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  923–927
  48. Динамика перекристаллизации пленки кремния на слое диэлектрика при наносекундном лазерном воздействии

    Письма в ЖТФ, 17:10 (1991),  58–63
  49. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1101–1103
  50. Особенности плавления монокристаллической подложки в затравочных окнах при формировании слоев кремния на изоляторе импульсным нагревом

    Письма в ЖТФ, 16:22 (1990),  11–17
  51. Прыжковая проводимость в промежуточно легированных полупроводниках

    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  401–406
  52. Междоузельный дефект низкой симметрии в кремнии, облученном нейтронами

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1057–1061
  53. Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии в зависимости от температуры при облучении нейтронами

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  887–892
  54. Определение температуры плавления аморфных полупроводников по кинетике самоподдерживающейся кристаллизации

    ЖТФ, 57:12 (1987),  2397–2400
  55. Распределение ионно-имплантированной примеси в кремнии после многократного импульсного электронного отжига

    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  357–360
  56. Дефект вакансия–примесь с пространственно разделенными компонентами в кремнии, облученном электронами

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  50–56
  57. Фазовый переход кристалл–аморфное состояние в сильно легированном кремнии

    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3134–3136
  58. Жидкофазная кристаллизация аморфных слоев кремния при импульсном нагреве различной длительности

    ЖТФ, 56:4 (1986),  807–810
  59. Непереориентируемые дивакансии в кремнии, облученном нейтронами

    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1944–1948
  60. Низкотемпературная проводимость сильно легированного аморфного кремния

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1240–1244
  61. ЭПР дефектов в Si$\langle$Al$\rangle$, облученном большими дозами электронов

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1763–1766
  62. Перестройка дефектов при больших дозах облучения Si электронами

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  546–548
  63. Спектральная излучательная способность пирографита в инфракрасной области при высоких температурах

    ТВТ, 17:5 (1979),  988–991
  64. Спектральный коэффициент поглощения кварцевых стекол в области их полупрозрачности при высоких температурах

    ТВТ, 17:1 (1979),  58–62
  65. Экспериментальное исследование спектральной излучательной способности кварцевого стекла при высоких температурах

    ТВТ, 16:4 (1978),  749–754
  66. Температурная зависимость спектральной излучательной способности кварцевых стекол марки КИ и КСГ в ИК-области (№ 706–78 Деп. от 6 III 1978)

    ТВТ, 16:3 (1978),  665

  67. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения

    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894

© МИАН, 2024