Балагуров Л А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гигантские магнитные моменты в оксидных ферромагнитных полупроводниках
   
   Письма в ЖЭТФ, 86:5 (2007),  405–407
2. О природе ферромагнетизма в полупроводниковом оксиде TiO$_{2-\delta }$:Co
   
   Письма в ЖЭТФ, 79:2 (2004),  111–112
3. Исследование энергетического спектра локализованных Д-состояний в объеме и на поверхности $a$-Si : H методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии
   
   Физика твердого тела, 33:10 (1991),  3033–3038
4. Оптические и вибрационные свойства $a$-SiN$_{x}$ : H
   
   Физика твердого тела, 31:10 (1989),  237–241
5. Оптические свойства и структура химических связей $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H
   
   Физика твердого тела, 31:10 (1989),  231–236
6. Исследование спектров примесного поглощения $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H методом фотоакустической спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  673–676
7. Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных образцах $a$-Si : Н
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1967–1971
8. Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  168–171
9. Исследование спектра локальных состояний $a$-Si : H методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  155–157
10. Оптические переходы с участием $D$-центров в аморфных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1631–1636
11. Энергетический спектр глубоких состояний в щели подвижности $a$-Si : H
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  720–723
12. Энергетический спектр глубоких локализованных $D^{0}$-состояний в $a$-Si : H
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  550–552
13. Спектры ИК поглощения пленок аморфного гидрогенизированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  457–461
14. Особенности рекомбинации в аморфном гидрогенизированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1046–1051
15. Исследование плотности локализованных состояний в $a$-Si : Н методом оптического поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  48–52