|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$
Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 371–374
-
Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413
-
Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия
Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017), 305–310
-
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 342–347
-
Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками
Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016), 845–848
-
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1610–1614
-
Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах
SiGe
Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013), 180–184
-
Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально
связанных квантовых точках Ge/Si
Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011), 806–810
-
Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si
Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007), 549–552
-
Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света
Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005), 415–418
-
Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi
Письма в ЖЭТФ, 81:1 (2005), 33–36
-
Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si
Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 367–371
-
Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si
Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003), 1077–1081
-
Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек
Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 445–449
-
Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек
Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 113–117
-
Фононы в сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками Ge
Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001), 521–525
© , 2024