|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Планарные волноводные структуры на основе SrF2 : Ho, Er, Tm. Зависимость показателя преломления от концентрации ионов активатора
Квантовая электроника, 48:9 (2018), 854–855
-
Двухфотонное поглощение в теллуритно-цинкатном стекле 70TeO2 – 30ZnO
Квантовая электроника, 48:8 (2018), 715–716
-
Двухфотонное поглощение в стеклах на основе сульфида мышьяка
Квантовая электроника, 46:10 (2016), 895–898
-
Двухфотонное поглощение в волокнах на основе SiO2 и SiO2 + GeO2 на длине волны 349 нм
Квантовая электроника, 44:6 (2014), 599–601
-
Двухфотонное межзонное поглощение в кристаллах ниобата бария-стронция
Квантовая электроника, 42:7 (2012), 595–599
-
Спонтанное и вынужденное комбинационное рассеяние света в кристаллах ZnWO4
Квантовая электроника, 41:4 (2011), 370–372
-
Динамика двухфотонного пикосекундного поглощения в кристаллах ZnWO$_4$ и PbWO$_4$
Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010), 615–619
-
Технологии перфорации близкорасположенных микронных отверстий с использованием неодимовых LiF:F2--лазеров
Квантовая электроника, 39:4 (2009), 385–387
-
Комбинационное нестационарное усиление излучения суперлюминесценции в кристаллах
Письма в ЖЭТФ, 85:7 (2007), 393–396
-
Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2-
Квантовая электроника, 36:7 (2006), 609–611
-
Усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2- при синхронной пико- и наносекундной лазерной накачке
Квантовая электроника, 35:4 (2005), 344–346
-
Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах в условиях фазомодулированной пикосекундной накачки
Квантовая электроника, 34:10 (2004), 924–926
© , 2024