Карасик Александр Яковлевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Планарные волноводные структуры на основе SrF₂ : Ho, Er, Tm. Зависимость показателя преломления от концентрации ионов активатора
   
   Квантовая электроника, 48:9 (2018),  854–855
2. Двухфотонное поглощение в теллуритно-цинкатном стекле 70TeO₂ – 30ZnO
   
   Квантовая электроника, 48:8 (2018),  715–716
3. Двухфотонное поглощение в стеклах на основе сульфида мышьяка
   
   Квантовая электроника, 46:10 (2016),  895–898
4. Нелинейные процессы при двухфотонном межзонном пикосекундном возбуждении кристалла PbWO₄
   
   Квантовая электроника, 46:9 (2016),  806–810
5. Фторидные планарные волноводы для усилителей и лазеров
   
   Квантовая электроника, 45:8 (2015),  717–719
6. Двухфотонное поглощение в волокнах на основе SiO₂ и SiO₂ + GeO₂ на длине волны 349 нм
   
   Квантовая электроника, 44:6 (2014),  599–601
7. Керамические планарные волноводные структуры для усилителей и лазеров
   
   Квантовая электроника, 43:1 (2013),  60–62
8. Двухфотонное межзонное поглощение в кристаллах ниобата бария-стронция
   
   Квантовая электроника, 42:7 (2012),  595–599
9. Спонтанное и вынужденное комбинационное рассеяние света в кристаллах ZnWO₄
   
   Квантовая электроника, 41:4 (2011),  370–372
10. Динамика двухфотонного пикосекундного поглощения в кристаллах ZnWO$_4$ и PbWO$_4$
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010),  615–619
11. Технологии перфорации близкорасположенных микронных отверстий с использованием неодимовых LiF:F₂^--лазеров
    
    Квантовая электроника, 39:4 (2009),  385–387
12. Комбинационное нестационарное усиление излучения суперлюминесценции в кристаллах
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:7 (2007),  393–396
13. Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F₂^-
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  609–611
14. Усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F₂^- при синхронной пико- и наносекундной лазерной накачке
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  344–346
15. Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах в условиях фазомодулированной пикосекундной накачки
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  924–926
16. Сверхчувствительный электронный переход в примесных Nd–Nd нано-кластерах кристалла CaF$_2$
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:5 (2003),  768–771
17. Одно- и двухфотонные спектры кластеров Nd³⁺ в кристаллах CaF₂ и SrF₂
    
    Квантовая электроника, 33:8 (2003),  684–688
18. Вынужденное комбинационное рассеяние пикосекундных импульсов в кристаллах SrMoO₄ и Ca₃(VO₄)₂
    
    Квантовая электроника, 33:4 (2003),  331–334
19. Агрегатные центры окраски в примесных кристаллах LiF
    
    Квантовая электроника, 32:8 (2002),  659–662
20. Высокоэффективная генерация перестраиваемых пикосекундных импульсов на основе лазерного кристалла LiF:$F_2^-$
    
    Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1072–1074
21. Пикосекундный лазер с активной синхронизацией мод на основе кальций-литий-ниобий-галлиевого разупорядоченного граната с Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 21:1 (1994),  89–90
22. Возможности подавления стационарного и переходного ВРМБ
    
    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1632–1635
23. Статистический анализ параметров ВРМБ при генерации из спонтанного шума
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  778–784
24. Влияние поперечной гиперзвуковой неоднородности на спектр излучения ВРМБ в одномодовых волоконных световодах
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  752–756
25. О ВКР-самовоздействии лазерных импульсов
    
    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  592–594
26. Связь временно́го масштаба амплитудной модуляции «бегущего» ВРМБ со спектром его излучения
    
    ЖТФ, 57:8 (1987),  1556–1561
27. Оптический эффект Керра в стеклянных волоконных световодах со слабым и сильным двулучепреломлением
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  822–826
28. Получение высококонтрастных субпикосекундных импульсов однокаскадным 110-кратным сжатием импульсов ИАГ:Nd^{3 +}-лазера
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  662–663
29. Деполяризация излучения в нерегулярных одномодовых световодах
    
    ЖТФ, 56:6 (1986),  1227–1229
30. Спектральная ширина параметрического усиления в волоконных световодах
    
    Квантовая электроника, 13:3 (1986),  589–592
31. Датчик вращения на основе деполяризующего одномодового световода
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  321–325
32. Влияние ширины спектра излучения на поляризационные характеристики одномодовых волоконных световодов
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2226–2229
33. Генерация наносекундных импульсов излучения при ВРМБ в одномодовом стеклянном волоконном световоде
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1319–1321
34. Антистоксово рассеяние света в стеклянных волоконных световодах
    
    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  799–802
35. Прямые измерения дисперсии одномодовых волоконных световодов в области 1.15$-$1.4 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 10:9 (1984),  518–522
36. Влияние длины когерентности излучения на фазовые шумы в волоконно-оптическом датчике вращения
    
    Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1469–1471
37. Эффективное сжатие пикосекундных импульсов излучения АИГ:Nd³⁺-лазера
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1078–1080
38. Нелинейные оптические явления в волоконных световодах
    
    УФН, 143:3 (1984),  483–484
39. Высокочувствительный волоконно-оптический датчик вращения
    
    Докл. АН СССР, 269:2 (1983),  334–336
40. Перестройка частоты излучения четырехфотонного смешения в двулучепреломляющем волоконном световоде
    
    Письма в ЖТФ, 9:23 (1983),  1455–1459
41. Вынужденное четырехфотонное смешение в стеклянных волоконных световодах в области спектра 0,4–1,8 мкм
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1056–1059
42. Балансный метод измерения угловых скоростей вращения с помощью волоконно-оптического интерферометра
    
    Докл. АН СССР, 261:4 (1981),  844–846
43. Поляризационные свойства одномодовых волоконных световодов со слабым двулучепреломлением
    
    Квантовая электроника, 8:11 (1981),  2473–2478
44. Особенности ВКР света в стеклянных волоконных световодах на основе SiO₂+GeO₂
    
    Квантовая электроника, 8:11 (1981),  2383–2389
45. Синтез и исследование спектрально-люминесцентных и генерационных свойств кристаллов алюмоборатов, активированных ионами хрома и неодима
    
    Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2105–2111
46. Селективное возбуждение активаторных центров в конденсированных средах с неоднородным уширением спектральных линий
    
    Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1050–1055
47. Спектральные и генерационные свойства $(\mathrm{Li}-\mathrm{Nd})$-фосфатного стекла
    
    Докл. АН СССР, 227:1 (1976),  75–77
48. Физико-химические, спектрально-люминесцентные и генерационные исследования фосфатных стекол с высокой концентрацией неодима
    
    Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2243–2247
49. Коэффициенты Эйнштейна, сечения генерационного перехода и абсолютный квантовый выход люминесценции с метастабильного состояния Nd^{3+ 4}F_3/2 в лазерных стеклах и кристаллах граната
    
    Квантовая электроника, 3:1 (1976),  168–173
50. Прямые измерения квантового выхода люминесценции с метастабильного состояния $^4F_{3/2}\mathrm{Nd}^{3+}$ в кристаллах $\mathrm{Y}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
    
    Докл. АН СССР, 224:1 (1975),  64–67
51. Измерение сечения генерационного перехода в неодимовых стеклах
    
    Квантовая электроника, 2:8 (1975),  1665–1670
52. Соотношение энергий люминесценции различных переходов с метастабильного уровня иона неодима в стеклах
    
    Квантовая электроника, 2:2 (1975),  422–423


53. Памяти Вячеслава Васильевича Осико (28 марта 1932 г. – 15 ноября 2019 г.)
    
    Квантовая электроника, 50:1 (2020),  94