Лапушкин Михаил Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электронно-стимулированная десорбция атомов лития из слоев лития на поверхности Li$_{x}$Au$_{y}$
   
   Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1701–1705
2. Электронная структура термически окисленного вольфрама
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1166–1171
3. Десорбция атомов лития c поверхности Li/Li$_{x}$Au$_{y}$, стимулированная электронным облучением
   
   Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  6–9
4. Десорбция атомов калия, стимулированная электронным облучением системы K/K$_{x}$Au$_{y}$
   
   Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1949–1954
5. Электронная структура ультратонкой пленки окисла молибдена
   
   Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1618–1626
6. Влияние адсорбции атомов натрия и прогрева на наночастицы золота, адсорбированные на вольфраме
   
   Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1171–1178
7. Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1395
8. Электронно-стимулированная десорбция атомов калия из слоев калия на поверхности K$_{x}$Au$_{y}$
   
   Письма в ЖТФ, 46:18 (2020),  35–38
9. Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе
   
   Физика твердого тела, 61:11 (2019),  2024–2029
10. Электронно-стимулированная десорбция атомов цезия с графена на иридии, интеркалированного и не интеркалированого цезием
    
    Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1526–1531
11. Электронно-стимулированная десорбция атомов натрия и калия с окисленного вольфрама
    
    ЖТФ, 89:2 (2019),  310–313
12. Влияние переноса заряда в NaAu$_{y}$ на эмиссию ионов
    
    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  20–26
13. Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  50–58
14. Фотоэмиссия системы K/W(100) в атмосфере O$_{2}$
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1089–1096
15. Выход электронно-стимулированной десорбции и глубина проникновения возбуждающих электронов
    
    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  80–87
16. Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1348–1352
17. Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  465–469
18. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  51–57
19. Электронно-стимулированная десорбция атомов цезия из слоев цезия, адсорбированных на поверхности золота
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  14–21
20. Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия
    
    Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012),  363–366
21. Электронная структура границы раздела Ва/$n$-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:12 (2010),  739–743
22. Формирование двумерных электронных зон в системе W (110)$-$Ba при субмонослойных покрытиях
    
    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1646–1652