Зуев Виталий Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Черенковский механизм возбуждения поверхностных волн
   
   Письма в ЖЭТФ, 91:3 (2010),  126–129
2. Наноструктуры в лазерном эксперименте
   
   Квантовая электроника, 31:2 (2001),  120–126
3. Научные основы мощных фотодиссоционных лазеров (из научной истории 60-х гг. Отделения квантовой радиофизики Физического института им. П.Н. Лебедева)
   
   Квантовая электроника, 24:12 (1997),  1105–1113
4. Концентрация светового поля в оптической коаксиальной линии
   
   Квантовая электроника, 24:5 (1997),  462–466
5. Главные волны в многосвязных волноводах: концентрация лазерного излучения на площадках субволнового размера
   
   Квантовая электроника, 23:3 (1996),  257–260
6. Исследование XeF-лазера с оптической накачкой излучением поверхностных разрядов
   
   Квантовая электроника, 19:11 (1992),  1047–1054
7. Йодный лазер с накачкой светом фронта ударной волны, создаваемой взрывом взрывчатого вещества
   
   Квантовая электроника, 19:2 (1992),  135–138
8. Лазерная генерация на переходе D'–A' молекулы Вг₂ при оптической накачке секционированным поверхностным разрядом
   
   Квантовая электроника, 18:2 (1991),  181–183
9. Фотодиссоционный XeF-лазер видимого и УФ диапазонов с накачкой излучением секционированного поверхностного разряда
   
   Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1154–1157
10. Интерферометрическое измерение поглощения излучения йодного лазера в атмосфере
    
    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  1959–1966
11. Газовые смеси ксенона с водородом как активные лазерные среды
    
    Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1670–1675
12. Измерение абсолютного квантового выхода люминесценции Xe₂Cl* в смесях Cl₂–Xe
    
    Квантовая электроника, 14:7 (1987),  1397–1398
13. Оптическая накачка газовых лазеров на основе ксенона
    
    Квантовая электроника, 14:7 (1987),  1393–1396
14. Эволюция возмущений активной среды и условия фокусируемости излучения йодных фотодиссоционных усилителей с «медленной» накачкой
    
    Квантовая электроника, 14:3 (1987),  452–459
15. Эффективность инертно-щелочных ионных молекул для генерации излучения в УФ и далекой УФ областях спектра
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  185–187
16. Фотодиссоционный молекулярный лазер сине-зеленого диапазона с энергией $\sim 3$ Дж
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1423–1429
17. Характеристики XeF (C–A)-лазера видимого диапазона с оптической накачкой излучением скользящего разряда
    
    Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2521–2523
18. Трехцветный молекулярный лазер видимого диапазона на парах галогенидов ртути с широкополосной оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1515–1517
19. Зеленый лазер на хлориде ртути с широкополосной оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1275–1278
20. Сине-фиолетовый Hgl/Hgl₂-лaзep с широкополосной оптической накачкой линейно-стабилизированным поверхностным разрядом
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1017–1019
21. О возможности генерации излучения на ионных гетероядерных молекулах. II. Кинетика
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2213–2225
22. О возможности генерации излучения на ионных гетероядерных молекулах. I. Спектроскопия
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2204–2212
23. Лазерная генерация на KrCl при оптическом возбуждении
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2197–2198
24. Лазерная генерация на Xe₂Cl с оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1954–1955
25. Оптические неоднородности в йодном фотодиссоционном усилителе наносекундных импульсов с медленной накачкой УФ излучением
    
    Квантовая электроника, 11:10 (1984),  1940–1946
26. Об эффективности XeF-лазера с оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1750–1756
27. Нестационарный режим энтальпийного вынужденного рассеяния света на ультразвуке в йодных лазерах
    
    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1737–1749
28. Воздействие лазерного поля на волну неоднородности в активной среде йодного фотодиссоционного лазера
    
    Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1465–1467
29. О динамике низкопорогового вынужденного температурного рассеяния света в газах вблизи критической точки
    
    Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1462–1464
30. Фотодиссоционный XeF-лазер с КПД генерации около 1 %
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1080–1081
31. Имитрины V. Связь квантовых выходов флуоресценции и КПД лазерной генерации с химической структурой имитринов
    
    Квантовая электроника, 11:2 (1984),  393–397
32. Измерения абсолютного квантового выхода люминесценции при возбуждении ВУФ-излучением смесей Cl$_2$ с Ar, Kr и Xe
    
    Квантовая электроника, 11:2 (1984),  354–365
33. Об особенностях использования смеси газов H₂–He в качестве активной лазерной среды при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  197–199
34. Оптические неоднородности в волне просветления активной среды фотохимического Kr₂F-лазера
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1868–1871
35. О допустимом нагреве среды и удельном энергосъёме в УФ J₂-лазере с оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  904–905
36. Вынужденное рассеяние света в газах вблизи критической точки
    
    Квантовая электроника, 10:1 (1983),  132–133
37. Сине-зеленая лазерная генерация на JF при широкополосной оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 9:5 (1982),  1064–1065
38. Исследование J₂(D'–A')-лазера с широкополосной оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 9:3 (1982),  573–582
39. К вопросу о регенерации рабочей смеси йодного лазера с накачкой излучением открытого разряда
    
    Квантовая электроника, 9:2 (1982),  368–370
40. О возможности воздействия на коэффициент усиления энтальпийного вынужденного рассеяния света
    
    Квантовая электроника, 8:12 (1981),  2699–2703
41. Исследование люминесценции в области 420 нм при фотолизе KrF₂ в смесях Ar, Kr, N₂
    
    Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2183–2190
42. Об интенсивности ультразвука, возбуждаемого при вынужденном рассеянии света за счет управляемых светом химических реакций
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1978–1984
43. Вынужденное рассеяние света на температурных волнах, возбуждаемых в термодинамически неравновесных средах за счет энтальпии управляемых светом химических реакций
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1968–1977
44. Имитрины. III. Лазерная генерация в полосе 500 нм на органических красителях класса имитринов в растворах и парах
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1567–1570
45. Кумарины в газовой фазе. I. Лазерная генерация на парах кумаринов в диапазоне 485–520 нм
    
    Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1306–1307
46. Наблюдение генерации на переходе B–X эксимера HeF при фотодиссоциации KrF₂ в смесях с Xe
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  373–375
47. Лазерная генерация на трехатомном эксимере $Kr_2F$ при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2660–2661
48. Вынужденное рассеяние света в термодинамически неравновесной среде с возбуждением коллективных движений за счёт инициируемых светом химических реакций
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2614–2620
49. Экспериментальное исследование внутренних потерь в йодных лазерах с накачкой УФ излучением открытого сильноточного разряда
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2604–2613
50. Механизм образования люминесценции в синей области при участии эксимеров $ArKrF^*$ и $KrN_2F^*$
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1562–1563
51. О предельных характеристиках фотохимического $XeO$-лазера
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1482–1491
52. О возможности создания лазеров на аэрозолях растворов красителей
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  189–192
53. Импульсно-периодический режим работы йодного УФ лазера с накачкой излучением кварцевых ламп
    
    Квантовая электроника, 6:9 (1979),  2033–2034
54. Энергетические характеристики фотохимического ХеО-лазера
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1513–1522
55. Генерация на связанно-свободном переходе C(3/2) – A(3/2) молекулы XeF при фотодиссоциации XeF₂
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1074
56. Неустойчивость волнового фронта излучений йодных лазеров и динамика развития оптических неоднородностей в лазерной среде
    
    Квантовая электроника, 6:4 (1979),  875–878
57. Исследование физических параметров йодного усилителя с накачкой излучением открытого сильноточного разряда
    
    Квантовая электроника, 6:2 (1979),  311–316
58. Исследование фотохимического лазера на молекуле ХеО
    
    Квантовая электроника, 5:7 (1978),  1456–1464
59. Генерация на λ = 502 нм при длительной световой накачке паров HgBr₂
    
    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  684–686
60. Генерация на переходе B(1/2)–X²Σ⁺ молекулы XeF при фотодиссоциации XeF₂
    
    Квантовая электроника, 4:11 (1977),  2453
61. Лазер на электронном переходе радикалов CN с оптической накачкой излучением открытого сильноточного разряда
    
    Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2057–2058
62. УФ лазер на молекулярном йоде с оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  638
63. О механизме наведенных потерь в лазере на парах РОРОР
    
    Квантовая электроника, 4:2 (1977),  443–446
64. Исследование изменения показателя преломления в активной среде лазера методом оптической задержки с использованием его собственного излучения
    
    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2434–2445
65. Лазерная генерация на молекуле ХеО при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 3:4 (1976),  930–932
66. Экспериментальное исследование возможности использования сильноточного разряда для оптической накачки Xe₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 3:1 (1976),  224–225
67. Характеристики усилителя йодного лазера коротких импульсов
    
    Квантовая электроника, 2:6 (1975),  1282–1295
68. Фотохимический лазер на электронно-колебательном переходе S₂ ( ¹Σ⁺_g–³Σ^–_g)
    
    Квантовая электроника, 2:4 (1975),  799–806
69. Усилитель для йодного лазера коротких импульсов с запасенной энергией более 700 Дж
    
    Квантовая электроника, 2:1 (1975),  197–198
70. Анализ возможности лазерного интерференционного контроля поверхности зеркала оптического телескопа. Часть II
    
    Квантовая электроника, 2:1 (1975),  92–98
71. Анализ воможности лазерного интерференционного контроля поверхности зеркала оптического телескопа. Часть I
    
    Квантовая электроника, 2:1 (1975),  78–91
72. Электрические, яркостные и газодинамические характеристики сильноточных разрядов в азоте и аргоне при давлениях 1 … 11 атм
    
    Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2275–2278
73. Лазерная генерация на парах 1,4-ди [2-(5-фенилоксазолил)]-бензола
    
    Квантовая электроника, 1:9 (1974),  2099–2101
74. К вопросу об ультрафиолетовом Xe₂-лазере с оптической накачкой. Спектр и квантовый выход фотолюминесценции газообразного ксенона
    
    Квантовая электроника, 1:9 (1974),  2048–2052
75. Измерение яркостной температуры сильноточного разряда в азоте в области 150 нм
    
    Квантовая электроника, 1:6 (1974),  1442–1445
76. Импульсный химический лазер на смеси D₂ + F₂ + CO₂ + He
    
    Квантовая электроника, 1:3 (1974),  560–564
77. Исследование процессов, сопровождающих фотолиз SPF₃
    
    Квантовая электроника, 1:2 (1974),  394–400
78. Йодный лазер коротких импульсов с энергией 50 дж и длительностью 5 нсек
    
    Квантовая электроника, 1973, № 6(18),  116
79. Исследование оптических неоднородностей, возникающих в рабочей среде фотодиссоционных лазеров во время генерации
    
    Квантовая электроника, 1973, № 6(18),  23–30
80. Многоэлементный большой оптический телескоп с управляемой фигурой зеркала
    
    УФН, 111:3 (1973),  558–560
81. О распространении импульса света в движущейся двухуровневой поглощающей среде
    
    Квантовая электроника, 1972, № 2(8),  88–89
82. Скорость распространения мощного импульса света в инверсно заселенной среде
    
    Докл. АН СССР, 165:1 (1965),  58–60
83. Об оптической локации Луны
    
    Докл. АН СССР, 154:6 (1964),  1303–1305


84. Памяти Геннадия Алексеевича Кириллова (25 июля 1933 г. – 22 сентября 2013 г.)
    
    Квантовая электроника, 43:10 (2013),  988
85. Памяти Анатолия Николаевича Ораевского
    
    Квантовая электроника, 33:9 (2003),  845–846
86. Памяти Николая Геннадиевича Басова
    
    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  751
87. Памяти Виктора Константиновича Орлова
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  1087–1088
88. Николай Геннадиевич Басов (к шестидесятилетию со дня рождения)
    
    Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2547–2549
89. Памяти Эдуарда Сергеевича Воронина
    
    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1152
90. Александр Иванович Барчуков (к шестидесятилетию со дня рождения)
    
    Квантовая электроника, 7:2 (1980),  445
91. Федор Васильевич Бункин (к пятидесятилетию со дня рождения)
    
    Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1352