Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$
Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2327–2332
-
Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24
-
Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами
Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1059–1063
-
Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 191–194
-
Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек
Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010), 498–500
© , 2024