Журавлев Константин Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрооптические и электроабсорбционные модуляторы на 1.5-микрометровый спектральный диапазон на основе InP
   
   Квантовая электроника, 53:11 (2023),  821–832
2. GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1727–1731
3. Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   ЖТФ, 91:7 (2021),  1158–1163
4. Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  877–881
5. Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  39–42
6. Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54
7. AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  37–39
8. AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  3–6
9. Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2327–2332
10. Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  42–45
11. Процессы самосборки нанокристаллов CdS, синтезированных методом Ленгмюра–Блоджетт
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1573–1578
12. Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  48–51
13. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
14. Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  52–54
15. Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  59–62
16. Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1407–1413
17. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
18. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
19. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56
20. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  77–84
21. Усиленная люминесценция сильнолегированных Al_xGa_1-xN-структур при оптическом возбуждении
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  215–221
22. Природа люминесценции квантовых точек PbS, синтезированных в матрице Ленгмюра–Блоджетт
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017),  21–25
23. Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    ЖТФ, 87:6 (2017),  900–904
24. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696
25. Передача электронного возбуждения из органической матрицы в нанокристаллы CdS, полученные методом Ленгмюра–Блоджетт
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  605–610
26. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
27. Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs
    
    Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  83–89
28. Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  5–13
29. Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1059–1063
30. Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  191–194
31. Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах
    
    Письма в ЖТФ, 42:16 (2016),  41–47
32. Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  72–79
33. Перенос энергии электронного возбуждения между квантовыми точками CdS и углеродными нанотрубками
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:7 (2012),  403–407
34. Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  498–500
35. Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005),  70–73
36. Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:10 (2003),  664–667
37. Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  459–463