|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In
ЖТФ, 91:6 (2021), 1040–1044
-
Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка
Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 877–881
-
Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 748–753
-
Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 796–800
-
Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон
ЖТФ, 89:11 (2019), 1795–1799
-
Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413
-
Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1574–1578
-
Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла
Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 94–97
© , 2024