RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Яссиевич Ирина Николаевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889
  2. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
  3. Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO$_{2}$: подбор параметров эмпирического метода сильной связи

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1145–1149
  4. Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов. Обзор

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1325–1340
  5. Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  639–642
  6. Излучательная и безызлучательная рекомбинация автолокализованного экситона на поверхности кремниевого нанокристалла

    Письма в ЖЭТФ, 97:2 (2013),  93–97
  7. Передача энергии между нанокристаллами кремния

    Письма в ЖЭТФ, 93:3 (2011),  162–165
  8. Direct bandgap optical transitions in Si nanocrystals

    Письма в ЖЭТФ, 90:12 (2009),  856–860
  9. Electron-phonon interaction in non-polar quantum dots induced by the amorphous polar environment

    Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009),  756–760
  10. Линейно поляризованное терагерцовое излучение в одноосно деформированном Ge(Ga) при пробое примеси электрическим полем

    Письма в ЖЭТФ, 83:8 (2006),  410–413
  11. Терагерцовая электролюминесценция в условиях пробоя мелкого акцептора в германии

    Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004),  448–451
  12. Неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний при многофононной рекомбинации

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1815–1824
  13. Захват электронов на отталкивающие кулоновские центры в германии

    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1569–1573
  14. Спектральное распределение поляризации оптически ориентированных фотоносителей в полупроводниках при индуцированных рекомбинационных оптических переходах

    Физика твердого тела, 33:1 (1991),  174–181
  15. Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (обзор)

    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1489–1516
  16. Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  298–306
  17. Резонанс Фано эффекта увлечения электронов фотонами в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2193–2197
  18. Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb$-$InAs

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1397–1406
  19. Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации

    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  135–148
  20. Новый «электронный» механизм энергетической релаксации локальных колебаний сильно возбужденных дефектов

    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2232–2234
  21. Термополевая ионизация примесей. Многомодовое рассмотрение

    Физика твердого тела, 30:8 (1988),  2498–2504
  22. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры

    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1793–1802
  23. Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов

    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  262–268
  24. Оже-рекомбинация экситонно-примесных комплексов

    Физика твердого тела, 29:8 (1987),  2351–2360
  25. Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1648–1653
  26. Электропоглощение света глубокими примесными центрами в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны

    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2127–2134
  27. К вопросу о примесной Оже-рекомбинации

    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2313–2319
  28. Учет возмущения волновых функций непрерывного спектра в примесном поглощении

    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1492–1498
  29. Роль рассеяния на мелких нейтральных центрах в кинетических явлениях при низкой температуре

    Физика твердого тела, 27:1 (1985),  69–76
  30. Оже-рекомбинация через доноры

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1715–1717
  31. Потенциалы ионизации многозарядных глубоких примесей в кубических полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  96–100
  32. Туннелирование с глубоких примесных центров в сильном электрическом поле

    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3307–3315
  33. Сечение фотоионизации для переходов $h$-центр–зона проводимости

    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1877–1879
  34. Ударная рекомбинация электронов через глубокие и мелкие акцепторы в полупроводниках $p$-типа

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  43–48
  35. Термостимулированная эмиссия электронов в изоляторах

    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1855–1857
  36. Фотоионизаация глубоких $h$-центров в полупроводниках

    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1650–1659
  37. О правиле Урбаха

    Физика твердого тела, 25:3 (1983),  727–733
  38. Ударная ионизация дырками в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  875–880
  39. Ударная ионизация электронами в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  46–51

© МИАН, 2024