Филатов Дмитрий Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование наночастиц Au в пленках SiO$_2$–TiO$_2$ методом локального электрохимического восстановления с помощью зонда атомно-силового микроскопа
   
   Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2023, № 3,  116–126
2. Влияние температуры на диссипативное туннелирование электронов через наночастицы Co в пленках HfO$_2$
   
   Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2023, № 2,  108–121
3. Features of tunneling current-voltage characteristics in dielectric films with Ni, Fe and Co nanoparticles, investigated by conductive AFM and within the framework of the theory of 1D-dissipative tunneling
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 13:6 (2022),  621–627
4. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
5. Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1431–1440
6. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
7. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
8. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)
   
   Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
9. Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
   
   Физика твердого тела, 62:4 (2020),  556–561
10. Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1825–1829
11. Особенности двумерных бифуркаций при диссипативном туннелировании электронов в массивах Au наночастиц
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1797–1805
12. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
13. Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 90:5 (2020),  826–830
14. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
    
    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
15. Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1669–1673
16. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
17. Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1267–1270
18. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
    
    ЖТФ, 88:2 (2018),  219–223
19. A comparative analysis of the observed effects of 2d tunneling bifurcations for quasi-one-dimensional and quasi-two-dimensional au-qd systems in an external electric field
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018),  724–734
20. Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии
    
    Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018),  752–757
21. Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  651–655
22. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  505
23. Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  470
24. Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  88–93
25. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  563–568
26. Резонансное туннелирование с участием фононов и его фононный контроль
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016),  406–412
27. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
28. Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  94–101
29. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления
    
    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  72–79
30. Ионный и туннельный механизмы проводимости для растущих квантовых точек из коллоидного золота
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 3,  163–176
31. Влияние промотирующих фононных мод широкозонной матрицы на туннельные вольт-амперные характеристики полупроводниковых квантовых точек
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2014, № 2,  132–150
32. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014),  175–180
33. Моделирование электронно-оптических процессов в диоде на основе структуры $N^+-SI/N-SI:ER/P^+-SI$ при обратном смещении и пути повышения достоверности моделирования структур
    
    Междунар. науч.-исслед. журн., 2013, № 1(8),  11–14
34. Создание и исследование нанопористых пленок двуокиси титана методом импульсной интерференционной литографии
    
    Квантовая электроника, 40:10 (2010),  925–927
35. Аномальный ферромагнитный резонанс в осажденных из лазерной плазмы слоях германия, легированного марганцем и алюминием
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:12 (2009),  852–855


36. Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 2,  123–135