Полоскин Дмитрий Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  45
2. Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1578
3. Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  921–925
4. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
5. Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока
   
   ЖТФ, 87:11 (2017),  1682–1686
6. Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1632–1646
7. Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1313–1319
8. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
9. Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011),  120–124
10. Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007),  202–207
11. Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004),  36–40
12. Спин-зависимая отрицательная фотопроводимость в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:9 (1985),  568–573