RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Егоров Антон Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Квантово-каскадные детекторы для спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 52:8 (2026),  8–13
  2. Влияние морфологии подложек InP на шероховатость интерфейсов и дефектность гетероструктур квантово-каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  439–444
  3. Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  23–28
  4. Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  13–15
  5. Перестраиваемый квантово-каскадный лазер для определения концентрации метана

    Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  66–70
  6. Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора

    Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  58–62
  7. Одночастотная генерация на радиальных модах в квантово-каскадных лазерах на основе селективного кольцевого резонатора

    Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  52–56
  8. Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора

    Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  41–44
  9. Влияние длительности импульса накачки и фактора заполнения на мощностные характеристики квантово-каскадных лазеров

    Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  54–58
  10. Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)

    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  529–532
  11. Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  318–325
  12. Мощный перестраиваемый квантово-каскадный лазер

    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  65–68
  13. Квантово-каскадные лазеры на основе активной области с малой чувствительностью к флуктуации толщины слоев

    Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  18–21
  14. Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона

    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  23–27
  15. Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями

    Квантовая электроника, 54:2 (2024),  100–103
  16. Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP

    ЖТФ, 93:8 (2023),  1166–1172
  17. Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин

    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1486–1489
  18. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m

    Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1095–1100
  19. Моделирование зонной структуры сверхрешеток на основе “разбавленных” нитридов

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  207–214
  20. Генерация случайных последовательностей за счет переключения поперечных мод в квантовом каскадном лазере

    Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  35–38
  21. Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм

    Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644
  22. Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм

    Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373
  23. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
  24. Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  933–939
  25. Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  908–914
  26. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
  27. Исследование пространственных характеристик излучения поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором

    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  601–606
  28. Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  357–362
  29. Особенности одночастотной генерации в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 7.5–8.0 $\mu$m с малой длиной резонатора

    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  7–10
  30. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин

    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
  31. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm

    ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
  32. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

    Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
  33. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
  34. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором

    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
  35. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
  36. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs

    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
  37. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом

    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
  38. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

    ЖТФ, 90:12 (2020),  2139–2142
  39. Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне

    ЖТФ, 90:8 (2020),  1333–1336
  40. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров

    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170
  41. Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров

    Оптика и спектроскопия, 128:6 (2020),  696–700
  42. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
  43. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
  44. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания

    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
  45. Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  51–54
  46. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции

    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
  47. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs

    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
  48. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m для реализации непрерывного режима генерации

    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  35–38
  49. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления

    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
  50. Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм

    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  989–994
  51. Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм

    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  720–721
  52. Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре

    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  141–142
  53. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs

    Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
  54. Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой

    Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  278–282
  55. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин

    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
  56. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
  57. Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  365–369
  58. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения

    Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  21–23
  59. Генерация частотных гребенок квантово-каскадными лазерами спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  18–21
  60. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
  61. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур

    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
  62. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
  63. Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм

    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1158–1162
  64. РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм

    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  801–803
  65. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов

    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
  66. Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 $\mu$m

    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2251–2254
  67. Динамика включения квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации 8100 nm при комнатной температуре

    ЖТФ, 88:11 (2018),  1708–1710
  68. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m

    ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
  69. Двухчастотная генерация в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Оптика и спектроскопия, 125:3 (2018),  387–390
  70. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1034–1037
  71. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  954–957
  72. Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  736–740
  73. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  597–602
  74. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям

    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
  75. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированные методом спекания

    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  59–66
  76. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
  77. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
  78. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  64–71
  79. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
  80. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324
  81. Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1208–1212
  82. Оптические свойства фотодетекторов на основе одиночных GaN-вискеров с графеновым прозрачным контактом

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1118–1122
  83. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка

    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  843–847
  84. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  663–667
  85. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  624–627
  86. Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов

    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  14–19
  87. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1574–1577
  88. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1569–1573
  89. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440–1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1434–1438
  90. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si

    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  569–572
  91. Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости

    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  534–538
  92. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  489–493
  93. Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  283–286
  94. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности

    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  30–36
  95. Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645
  96. Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1186–1191
  97. Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  774–780
  98. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  518–522
  99. Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN

    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  407–411
  100. Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования

    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  396–401
  101. Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона

    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  833–837
  102. Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP

    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  88–94
  103. Зависимость параметра гибридизации азотосодержащих твердых растворов GaPN от мольной доли азота

    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  81–87
  104. Оптическая ориентация ядер в азотосодержащих твердых растворах GaAsN при комнатной температуре

    Письма в ЖЭТФ, 96:9 (2012),  635–640
  105. Резонансное отражение света периодической системой экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1039–1042
  106. Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  815–819
  107. Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод

    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  31–39
  108. Взаимная синхронизация двух связанных генераторов автоколебаний на основе сверхрешеток GaAs/AlGaAs

    ЖТФ, 81:6 (2011),  80–84
  109. Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$

    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1209–1213
  110. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835
  111. Полупроводниковый лазер с асимметричными барьерными слоями: высокая температурная стабильность

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  540–546
  112. Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  950–954
  113. Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  923–927
  114. Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  886–890
  115. Spin-dependent electron dynamics and recombination in GaAs$_{1-x}$N$_x$ alloys at room temperature

    Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007),  208–212
  116. Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN

    Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005),  509–512
  117. Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками

    УФН, 165:2 (1995),  224–225
  118. Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722

  119. Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ

    УФН, 194:1 (2024),  98–105

© МИАН, 2026