Киселев В А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Measurement of the $\tau$ lepton mass at KEDR detector
   
   Письма в ЖЭТФ, 85:8 (2007),  429–434
2. Ковалентно-ионный переход и активность границ раздела металл$-$полупроводник
   
   Физика твердого тела, 33:10 (1991),  3070–3076
3. Токовая нейтрализация высокоэнергетичных протонов сгустков при их прохождении через газы различного давления
   
   ЖТФ, 61:2 (1991),  131–135
4. Резонансные преобразования поперечно-ограниченных поверхностных волн в фокусирующих волноводных решетках
   
   ЖТФ, 60:10 (1990),  121–128
5. Двухзонный пиннинг уровня Ферми на поверхности полупроводника
   
   Физика твердого тела, 31:12 (1989),  142–146
6. Закрепление уровня Ферми и реакции перезарядки на поверхности полупроводника
   
   Физика твердого тела, 31:6 (1989),  144–149
7. Развитие пучково-плазменного разряда при транспортировке высокоэнергетичного модулированного протонного пучка в газе
   
   Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  23–26
8. Широкоапертурная фокусировка излучения при возбуждении оптического волновода с помощью кольцевой решетки
   
   ЖТФ, 58:8 (1988),  1628–1632
9. Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  66–71
10. Оптическое проявление связывания экситонов центрами приповерхностного дефектного слоя в кристаллах
    
    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2126–2130
11. Окисление чистой поверхности $Ga\,As(110)$ и закрепление уровня Ферми
    
    Письма в ЖТФ, 13:13 (1987),  800–804
12. Оптическое обнаружение низкотемпературной физи- и хемисорбциии кислорода на чистой поверхности $Ga\,As (110)$
    
    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  709–713
13. Роль глубоких центров в динамике зарядов и полей в фоторефрактивных кристаллах силленитов
    
    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3438–3445
14. Приповерхностная флуктуация в твердых растворах Cd(Se, S) с малым содержанием серы и аномальные спектры экситонного отражения
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2946–2949
15. Стратификация объемного заряда при экранировании поля в кристаллах
    
    Физика твердого тела, 26:9 (1984),  2843–2851
16. Возникновение знакопеременного объемного заряда в кристалле в процессе экранирования внешнего поля
    
    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  743–745
17. Динамика распределения поля и заряда в Bi$_{12}$GeO$_{20}$ при термической ионизации ловушек
    
    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2755–2758