Хаджи Петр Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Ангармонические блоховские осцилляции в каплере из двух параллельных массивов световодов
   
   Квантовая электроника, 49:2 (2019),  150–156
2. Закон дисперсии экситон-поляритонов в условиях действия сильной накачки в области $M$-полосы люминесценции
   
   Физика твердого тела, 60:4 (2018),  660–665
3. Законы дисперсии трехуровневого атома с эквидистантным энергетическим спектром при высоком уровне возбуждения
   
   Письма в ЖЭТФ, 107:10 (2018),  623–628
4. Нелинейная динамика параметрических осцилляций поляритонов в микрорезонаторе
   
   Оптика и спектроскопия, 125:3 (2018),  425–431
5. Ангармонические блоховские осцилляции в массиве световодов
   
   Квантовая электроника, 48:1 (2018),  37–39
6. К теории атомно-молекулярной конверсии в условиях бозе-эйнштейновской конденсации
   
   ЖТФ, 87:4 (2017),  483–488
7. Некоторые особенности распространения света в трехканальном нелинейном направленном ответвителе
   
   Квантовая электроника, 47:3 (2017),  285–289
8. Оптический параметрический осциллятор на диполяритонах
   
   Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015),  665–669
9. Особенности стимулированной атомно-молекулярной конверсии с образованием гетероядерных молекул в условиях бозе-эйнштейновской конденсации
   
   Письма в ЖЭТФ, 92:7 (2010),  490–494
10. Особенности двухфотонной оптической нутации в системе биэкситонов в полупроводниках с учётом упругих межчастичных взаимодействий
    
    Квантовая электроника, 40:10 (2010),  907–913
11. Диссипативные солитоны бозе-эйнштейновского конденсата экситонов
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:9 (2007),  524–526
12. Динамика стимулированной рамановской атомно-молекулярной конверсии в бозе-эйнштейновском конденсате
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:3 (2006),  120–124
13. Особенности распространения света в полубесконечных массивах световодов
    
    Квантовая электроника, 36:10 (2006),  971–977
14. О методе диагностики полупроводников при двухфотонном возбуждении биэкситонов
    
    Квантовая электроника, 36:5 (2006),  415–417
15. Эффект самоотражения в полупроводниках в двухимпульсном режиме
    
    Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1173–1176
16. Особенности взаимодействия УКИ лазерного излучения с тонкой пленкой полупроводника, обусловленные генерацией экситонов и биэкситонов
    
    Квантовая электроника, 32:8 (2002),  711–716
17. Оптические свойства полупроводника при двухфотонном возбуждении биэкситонов мощным импульсом накачки и однофотонном зондировании в области М-полосы
    
    Квантовая электроника, 31:10 (2001),  937–939
18. Особенности отражения света от границы раздела полубесконечного нелинейного кристалла в условиях двухфотонного возбуждения биэкситонов
    
    Квантовая электроника, 31:1 (2001),  67–71
19. Нелинейное взаимодействие УКИ света с тонкой пленкой полупроводника в условиях двухфотонной экситон-биэкситонной конверсии
    
    Квантовая электроника, 30:12 (2000),  1091–1093
20. К теории распространения света в трехканальных нелинейных направленных ответвителях
    
    Квантовая электроника, 30:4 (2000),  349–350
21. Особенности взаимодействия УКИ резонансного лазерного излучения с тонкими пленками полупроводника
    
    Квантовая электроника, 29:1 (1999),  61–65
22. Самоотражение в системе экситонов и биэкситонов в полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 29:1 (1999),  43–48
23. Особенности стационарного пропускания (отражения) тонкой пленки полупроводника в экситонной области спектра
    
    Квантовая электроника, 27:3 (1999),  265–268
24. Безрезонаторная оптическая бистабильность тонкой пленки полупроводника в экситонной области спектра
    
    Квантовая электроника, 27:3 (1999),  262–264
25. Нелинейное пропускание света тонкой пленкой полупроводника в области экситонного резонанса
    
    Квантовая электроника, 24:6 (1997),  546–550
26. Безрезонаторная оптическая бистабильность в тонкой пленке полупроводника при возбуждении экситонов и биэкситонов
    
    Квантовая электроника, 23:11 (1996),  1009–1012
27. Нелинейное взаимодействие УКИ света с тонкой полупроводниковой пленкой в экситонной области спектра
    
    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  837–840
28. О взаимодействии УКИ света с тонкой полупроводниковой пленкой в экситонной области спектра
    
    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  451–454
29. Нелинейное взаимодействие УКИ света с тонкой полупpоводниковой пленкой пpи двухфотонном возбуждении биэкситонов
    
    Квантовая электроника, 22:9 (1995),  929–932
30. Нелинейное пропускание частично скрещенного резонатора Фабри-Перо
    
    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  8–12
31. Пропускание нелинейного скрещенного резонатора Фабри$-$Перо
    
    Письма в ЖТФ, 18:8 (1992),  68–72
32. Нелинейные поверхностные волны для простейшей модели нелинейной среды
    
    ЖТФ, 61:5 (1991),  110–113
33. Нелинейные $S$-поляризованные моды в волноводе
    
    Письма в ЖТФ, 16:13 (1990),  4–8
34. К теории нелинейных $p$-поляризованных поверхностных волн
    
    ЖТФ, 58:6 (1988),  1063–1070
35. К теории нелинейных поверхностных ТМ-волн
    
    Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1355–1359
36. К теории нелинейных поверхностных волн
    
    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2721–2724
37. Оптическая бистабильность экситонов в резонаторе Фабри–Перо
    
    Физика твердого тела, 29:2 (1987),  535–542
38. Нелинейные поверхностные поляритоны на границе раздела между линейной средой и средой из двухуровневых атомов
    
    ЖТФ, 57:2 (1987),  395–398
39. Оптическая бистабильность в системе экситонов и биэкситонов
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1796–1801
40. Закон дисперсии нелинейных поверхностных волн
    
    Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  910–912
41. Сильно нелинейные $p$-поляризованные поверхностные волны
    
    Письма в ЖТФ, 13:13 (1987),  797–800
42. О новом типе нелинейных поверхностных волн
    
    Письма в ЖТФ, 13:13 (1987),  793–797
43. Образование доменов и нелинейное просветление кристалла в экситонной области спектра
    
    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1883–1885
44. Солитонные волны в системе когерентных экситонов и биэкситонов
    
    Физика твердого тела, 25:8 (1983),  2394–2398
45. Об одном способе создания высокой плотности долгоживущих экситонов $\Gamma^{+}_{2}$ в кристалле Cu$_{2}$O
    
    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1562–1564
46. Условия образования поляритоноподобных солитонов и прохождения ультракороткого импульса света через границу кристалл–вакуум
    
    Физика твердого тела, 25:3 (1983),  678–683
47. Распространение когерентных экситонов и фотонов в кристалле
    
    Квантовая электроника, 3:4 (1976),  852–854