Форш Павел Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модель связанных квантовых мемристоров на основе пойманного в ловушку одиночного иона $^{171}$Yb$^+$
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:5 (2024),  343–347
2. Квантовые мемристоры — новый подход к нейроморфным вычислениям
   
   УФН, 194:9 (2024),  905–916
3. Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям
   
   Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  33–36
4. Наномасштабные тепловые эффекты второго порядка в мемристивных структурах на основе поли-$n$-ксилилена
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:6 (2020),  379–386
5. Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  25–28
6. Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках
   
   Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  40–43
7. Электрические свойства тонких пленок оксида индия, полученных методом плазменно-термического испарения
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1535–1538
8. Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si
   
   Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  95–101
9. Влияние квантовых точек селенида кадмия на проводимость и фотопроводимость нанокристаллического оксида индия
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  619–623
10. Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок $nc$-Si/$a$-Si : H с различной долей кристаллической фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  600–606
11. Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540
12. Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:12 (2007),  791–794