Червяков Анатолий Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  420–425
2. Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  292–295
3. Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  493–499
4. Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  708–711
5. Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле $p$–$n$-перехода
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  198–201
6. Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be$^{+}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  177–181
7. Фемтосекундное наноструктурирование кремниевых поверхностей
   
   Письма в ЖЭТФ, 83:2 (2006),  76–79
8. Температурная зависимость доменной структуры BiVO$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 27:1 (1985),  231–233
9. Температурная зависимость показателей преломления BiVO$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2782–2784