Фалеев Н Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Когерентное и диффузное рассеяния рентгеновских лучей на многокомпонентной сверхрешетке с квантовыми точками
   
   Письма в ЖЭТФ, 92:7 (2010),  483–489
2. Сверхструктура в оптически анизотропном стекле As$_{2}$S$_{3}\langle$In$\rangle$
   
   Письма в ЖТФ, 18:22 (1992),  39–44
3. Молекулярно-пучковая эпитаксия однодоменного арсенида галлия на (001) кремнии, пассивированном водородом
   
   Письма в ЖТФ, 18:2 (1992),  1–5
4. Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе
   
   Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1022–1029
5. Исследование кристаллического качества твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в зависимости от реконструкции поверхности в процессе эпитаксиального роста из молекулярных пучков
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  42–44
6. AlGaAs/GaAs гетероструктуры, полученные методом ЖФЭ на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  1–3
7. Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP
   
   ЖТФ, 60:3 (1990),  123–128
8. Инжекционные гетеролазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  58–62
9. Многослойные периодические структуры в системе Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 14:7 (1988),  593–597
10. Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176
11. Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1745–1749
12. Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями
    
    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  132–136
13. Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2206–2211
14. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  533–537
15. Кристаллизация гетероструктур из переохлажденных растворов–расплавов
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2077–2079