RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Румянцев Владимир Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316
  2. Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425
  3. Расчет дискретных и резонансных уровней акцепторов в узкозонных твердых растворах CdHgTe

    Письма в ЖЭТФ, 116:5 (2022),  307–312
  4. Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры

    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1060–1065
  5. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478
  6. Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  465–471
  7. Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe

    Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405
  8. Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926
  9. Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  861–868
  10. Расчет эффективности удвоения частоты излучения субтерагерцового гиротрона за счет решеточной нелинейности в монокристаллической пластине InP

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  855–860
  11. Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817
  12. Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  455–459
  13. Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  391–396
  14. Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54
  15. Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163
  16. Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора

    Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688
  17. Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173
  18. Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168
  19. Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932
  20. Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  906–912
  21. Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  878–883
  22. Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне

    Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684
  23. Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs

    Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  91–97
  24. Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302
  25. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
  26. Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249
  27. Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям гетероструктур HgTe/СdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1224–1228
  28. Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181
  29. Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558
  30. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1486–1490
  31. Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1482–1485
  32. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267
  33. Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1257–1262
  34. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
  35. Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620
  36. Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593
  37. Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1713–1719
  38. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1697–1700
  39. Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696
  40. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684
  41. Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1587–1591
  42. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675
  43. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659
  44. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  192–195
  45. Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  117–121
  46. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe

    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841

© МИАН, 2025