RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Преснов Денис Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Лазерная фрагментация кремниевых микрочастиц в жидкостях для решения задач биофотоники

    Квантовая электроника, 52:2 (2022),  160–170
  2. Особенности измерения поверхностного распределения электрического потенциала локальным зондом на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводом

    ЖТФ, 90:5 (2020),  868–874
  3. Формирование кремниевых наночастиц методом импульсной лазерной абляции пористого кремния в жидкостях

    Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  13–16
  4. Фемтосекундный лазерный отжиг многослойных тонкопленочных структур на основе аморфных германия и кремния

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  43–46
  5. Определение концентрации свободных носителей заряда в легированных бором кремниевых нанонитях при помощи инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражения

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1557–1561
  6. Анализ структуры наночастиц, формируемых методом лазерной абляции пористого кремния и микрочастиц кремния в воде

    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  22–25
  7. Механический резонанс в кремниевом нанопроводе с высокой добротностью

    Письма в ЖЭТФ, 108:7 (2018),  522–528
  8. Структурная анизотропия пленок аморфного кремния, модифицированных фемтосекундными лазерными импульсами

    Оптика и спектроскопия, 124:6 (2018),  770–776
  9. Strongly asymmetric single-electron transistor operating as zero-biased electrometer

    Письма в ЖЭТФ, 82:2 (2005),  82–85
  10. Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriers

    УФН, 171:приложение к № 10 (2001),  113–116
  11. Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре

    УФН, 168:2 (1998),  217–219
  12. Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах

    УФН, 167:5 (1997),  566–568
  13. Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты

    УФН, 166:8 (1996),  906–907


© МИАН, 2024