|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Кинетика СВЧ фотопроводимости в подложках Si с внутренним геттером
и бездефектной зоной
Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 942–948
-
Электрические свойства легированных германием монокристаллов кремния,
подвергнутых термообработке
Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1146–1149
-
Изменение концентрации центров прилипания и времени жизни
неравновесных носителей в кремнии в процессе формирования внутреннего
геттера. Постадийный неразрушающий контроль геттерирования
Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 979–982
-
Влияние уровней прилипания на рекомбинацию неравновесных носителей
в кремнии
Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 182–184
-
Исследование сколотой поверхности кремния методами СВЧ и оптического
отражения
Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 348
-
Зависимость рекомбинации неравновесных носителей в кремнии от времени термического окисления
Письма в ЖТФ, 11:19 (1985), 1166–1168
-
Влияние процессов внутреннего и поверхностного геттерирования на время жизни неравновесных носителей в кремнии
Письма в ЖТФ, 11:18 (1985), 1145–1146
-
Исследование рекомбинации неравновесных носителей в кремнии методом
СВЧ
Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2160–2165
-
Электронно-микроскопическое исследование микроструктуры стеклообразных полупроводников в системе Ge$-$Se
Физика твердого тела, 25:10 (1983), 2923–2929
-
Получение полосковых волноводов с прогнозируемой формой сечения
методом электростимулированной диффузии
ЖТФ, 53:10 (1983), 2088–2090
© , 2024