Гусев Олег Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  639–642
2. Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе
   
   Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  538–548
3. Люминесценция аморфных нанокластеров кремния
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  402–405
4. Передача энергии между нанокристаллами кремния
   
   Письма в ЖЭТФ, 93:3 (2011),  162–165
5. Переход от гетороструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  738–741
6. Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  298–306
7. Поляризация люминесценции и оптическая ориентация дырок в PbTe в стимулированном режиме
   
   Физика твердого тела, 30:1 (1988),  177–183
8. Оптическая ориентация носителей заряда в полупроводнике в режиме стимулированной люминесценции
   
   Докл. АН СССР, 297:3 (1987),  584–587
9. Плотность электронно-дырочной плазмы, возбужденной в полупроводнике
   
   Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1387–1392
10. Поляризация люминесценции $n$-InSb в сильном магнитном поле при двухфотонной накачке
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  722–728
11. Спектры люминесценции и разогрев электронов светом в InSb
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1195–1201