Ипатова Ия Павловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур
   
   УФН, 167:5 (1997),  552–555
2. Рассеяние света флуктуациями электронной плотности в многодолинных полупроводниках и металлах
   
   УФН, 163:5 (1993),  67–114
3. Влияние слоистости структуры на колебательные спектры в висмутовых и таллиевых ВТСП
   
   Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1565–1568
4. Анализ состава газовой фазы в зоне источника методом УФ поглощения при выращивании GaAs в хлоридной газотранспортной системе
   
   ЖТФ, 60:7 (1990),  143–150
5. Влияние обмена подложки с газовой фазой на кристаллизацию из газотранспортной системы
   
   ЖТФ, 60:3 (1990),  90–96
6. Оптимизация режима роста арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе
   
   Письма в ЖТФ, 16:24 (1990),  77–82
7. Влияние колебаний кристаллической решетки на равновесное легирование полупроводника
   
   ЖТФ, 59:6 (1989),  156–159
8. Рассеяние света слабозатухающими акустическими плазмонами в двумерном электронном газе
   
   Физика твердого тела, 30:10 (1988),  3036–3043
9. Роль гофрировки изоэнергетических поверхностей валентной зоны в оптических переходах «зона$-$примесь»
   
   Физика твердого тела, 30:2 (1988),  499–503
10. Математическое моделирование процессов в хлоридных газотранспортных реакторах
    
    ЖТФ, 58:6 (1988),  1229–1233
11. Гиперкомбинационное рассеяние света от приповерхностного слоя полупроводника
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3044–3050
12. Рассеяние света свободными носителями в InP и в Ga$_{x}$In$_{1-x}$P
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  754–761
13. Математическое моделирование процессов в проточных газоэпитаксиальных реакторах I.  Газодинамические процессы
    
    ЖТФ, 56:9 (1986),  1700–1708
14. Исследование спектров комбинационного рассеяния света поликристаллических пленок халькогенидов свинца в области валентных колебаний адсорбированного кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  243–247
15. Исследование факторов, определяющих однородность толщины эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе $Ga(CH_{3})_{3}-As\,H_{3}-H_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 12:8 (1986),  506–509
16. Спектр оптических фононов в кристаллах ZnS с дефектами упаковки
    
    Физика твердого тела, 27:4 (1985),  1017–1026
17. Численное моделирование роста пленок $Ga\,As$ в проточных газоэпитаксиальных реакторах
    
    Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  794–799
18. Оптическая ориентация глубоких примесных центров в полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  372–377
19. Электромодуляционные эффекты в рассеянии света в переходном неоднородном слое на границе металл–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  685–690
20. Оптические свойства четверных твердых растворов на основе соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ в области решеточных и плазменных колебаний
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  24–42
21. Поглощение поляризованного света при оптических переходах донор–валентная зона
    
    Физика твердого тела, 25:8 (1983),  2334–2337
22. Об уширении линии экситонного поглощения в твердых растворах полупроводников
    
    Физика твердого тела, 25:7 (1983),  2057–2065


23. Памяти Льва Эммануиловича Гуревича
    
    УФН, 161:6 (1991),  207–209
24. Исправление опечатки
    
    УФН, 160:7 (1990),  169
25. Чему учит книга “Мифы теории относительности”?
    
    УФН, 160:4 (1990),  97–101
26. Динамическая теория кристаллической решетки в гармоническом приближении
    
    УФН, 92:1 (1967),  174–175