RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Саидов М С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Development of ceramic coatings and application of their infrared radiation

    Comp. nanotechnol., 2016, № 4,  6–9
  2. Особенности синтеза функциональной керамики с комплексом заданных свойств радиационным методом. Часть 5. Механизм генерации импульсов функциональной керамикой

    Comp. nanotechnol., 2016, № 2,  81–93
  3. Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si$-$Ge

    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  525–531
  4. О механизме дефектообразования в сплавах Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электронном облучении

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  570–573
  5. Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния II.  Гальваномагнитные свойства и неоднородности

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2052–2060
  6. Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния I.  Электрофизические параметры и $\varepsilon_{1}$-проводимость

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2042–2051
  7. Реакции центров золота при оптической накачке твердых растворов кремний–германий

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  745–747
  8. Влияние кристаллографической полярности граней карбида кремния на характеристики сплавных диодов

    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1476–1478
  9. Нейтронное легирование сплава Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ в области составов со стороны кремния

    Письма в ЖТФ, 10:8 (1984),  495–498
  10. О состоянии центров никеля в GaP

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2205–2208
  11. О механизме фотопроводимости фосфида галлия, компенсированного никелем

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  529–530
  12. К вопросу о совместном распределении примесей в полупроводниках

    УФН, 105:4 (1971),  752–753


© МИАН, 2024