RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Паранчич С Ю

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Экспериментальное обнаружение гибридизации электронных состояний примеси и полосы проводимости в системе HgSe:Fe

    Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005),  80–82
  2. Исследование твердых растворов Hg$_{1-x}$Cr$_{x}$Se

    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  882–888
  3. Исследование зонных параметров Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te

    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  700–707
  4. Резонансные состояния, образованные примесями кобальта и никеля в селениде ртути

    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1894–1898
  5. Резонансный донорный уровень хрома в селениде ртути

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  121–123
  6. Микроволновые исследования квантовых осцилляций и спектра ЭПР в Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Se

    Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3290–3294
  7. Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах Fe$_{x}$Hg$_{1-x}$Se

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  225–230
  8. Исследование Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te с помощью ЭПР

    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  326–329
  9. Электрические и оптические свойства полумагнитных твердых растворов Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Se

    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  943–946
  10. Теплоемкость и тепловое расширение твердых растворов селенидов ртути и кадмия в области 80$-$350 K

    Физика твердого тела, 30:4 (1988),  1237–1240
  11. Эффект Шубникова–де-Гааза в твердых растворах Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Se

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  1994–1998
  12. Решеточная теплопроводность твердых растворов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Se

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  123–128
  13. Особенности биений амплитуд шубниковских осцилляций в кристаллах Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Se

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  94–98
  14. Зонные параметры твердых растворов Mg$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, Zn$_{x}$Hg$_{1-x}$Se и Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Se, определенные по минимуму плазменного отражения

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1542–1546


© МИАН, 2024