Гуткин Андрей Абрамович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование с помощью молекулярной динамики образования димеров на поверхности (001) GaAs при низких температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  134–137
2. Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1424–1426
3. 
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1164
4. Акцепторный центр Mn$_{\operatorname{Ga}}$ в GaAs (Обзор)
   
   Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2275–2305
5. Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в GaAs элементами первой группы с заполненной $d$-оболочкой. Обзор
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1299–1324
6. Фотолюминесценция, связанная с центрами Au$_{\text{Ga}}$ в GaAs : Au
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  508–512
7. Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs
   
   Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2667–2676
8. Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]
   
   Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1459–1465
9. Влияние обменного взаимодействия дырки с $3d$-электронами на свойства глубокого акцептора Mn в арсениде галлия
   
   Физика твердого тела, 30:3 (1988),  765–774
10. Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2959–2963