Шенгуров В Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
2. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
3. Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  37–40
4. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
5. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
6. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
7. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1271–1274
8. Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1267–1270
9. Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  651–655
10. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  505
11. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  563–568
12. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458
13. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
14. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
15. Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  94–101
16. Анализ неравномерности толщины эпитаксиального слоя кремния при осаждении из сублимационных источников в вакууме
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 4,  93–100
17. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903
18. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  614–617