|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 766–772
-
Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1395–1400
-
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1594–1598
-
Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 264–268
-
Сечение поглощения для перехода
$^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов
Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 913–918
-
Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 614–617
© , 2024