Чалков В Ю

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
2. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
3. Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки”
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1129–1133
4. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
5. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
6. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1271–1274
7. Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1267–1270
8. Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  651–655
9. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  505
10. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  563–568
11. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
12. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
13. Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  94–101
14. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005),  614–617