Константинов Олег Владиславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре
   
   Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2118–2128
2. Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольт-фарадные характеристики барьерной структуры
   
   Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  921–926
3. Методика определения разрыва зон на гетерогранице по измерениям вольт-фарадных характеристик $m{-}s$-гетероструктуры
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  653–668
4. Вольт-фарадная характеристика $m{-}s$-структур с изотипным гетеропереходом
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1889–1898
5. Теория «моттовского» плато на вольт-фарадной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
   
   Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  660–669
6. Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2126–2131
7. Гетеропереход, возникающий на границе скачкообразного изменения концентрации свободных носителей в однородном по составу полупроводнике
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1848–1856
8. Возбуждение высокочастотных автоколебаний в стримерных полупроводниковых лазерах
   
   Докл. АН СССР, 305:3 (1989),  586–588
9. «Моттовское» плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
   
   Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1283–1290
10. Теория квазибаллистического транспорта электронов в биполярном гетеротранзисторе с сильно легированной субмикронной базой
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  508–516
11. Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2025–2034
12. Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  129–132
13. Длинноволновый край спектральной зависимости фототока в гетеро-$p{-}n$-переходе
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2142–2148
14. Флуктуационные уровни для неосновных носителей в вырожденных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  504–513
15. Волна туннельной ионизации в полупроводниковых структурах
    
    Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  476–481
16. Рассеяние заряженных частиц электростатическими сетчатыми электродами
    
    ЖТФ, 56:6 (1986),  1075–1081
17. Электростатическое поле цилиндрической сетки
    
    ЖТФ, 56:5 (1986),  973–975
18. Теория фотоэлектрического преобразователя с градиентом запрещенной зоны в области пространственного заряда гетеро-$p{-}n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1262–1270
19. Исследование края поглощения кристаллов CdS, легированных галлием
    
    Физика твердого тела, 27:11 (1985),  3185–3191
20. Рекомбинация через глубокие уровни в гетеро-$p{-}n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2154–2162
21. Теория инжекции носителей в гетеро-$p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1991–1999
22. Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных $p{-}n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1589–1596
23. Фотолюминесценция сильно легированных кристаллов антимонида индия $n$-типа
    
    Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1326–1330
24. Теория электростатических систем с многосеточными электродами
    
    ЖТФ, 54:11 (1984),  2087–2093
25. Емкость и распределение электрического поля в резкой асимметричной $p{-}n$-структуре с инверсионной прослойкой
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2166–2176
26. О кинетике нарастания вентильной фотоэдс барьерной структуры
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1256–1262
27. Рецензия на книгу У. Харрисона «Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи»
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  761
28. О механизме релаксации электрического поля в МДП структуре на основе фотопроводящего германата висмута
    
    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3648–3654
29. Экспериментальное наблюдение эффекта каналирования света в фазовой дифракционной решетке
    
    Физика твердого тела, 25:4 (1983),  1008–1012
30. Теория переходного процесса в структуре металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1656–1662
31. Модуляционные методики определения параметров связанных состояний в квантовом эффекте Холла
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1217–1224
32. Изменение заряда в структуре металл–диэлектрик–полупроводник при изменении магнитного потока в условиях квантового эффекта Холла
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1120–1122
33. К теории квантового эффекта Холла в структуре металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1073–1080
34. Влияние последовательного сопротивления диода Шоттки на его эффективную емкость
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  305–311
35. Интерференция атомных состояний
    
    УФН, 100:3 (1970),  513–514
36. Рекомбинационные волны в компенсированном германии
    
    УФН, 98:4 (1969),  736–738


37. Аскеров Б. M. Электронные явления переноса в полупроводниках. М.: Наука, 1985. 320 с.
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1334–1335