Николаев Сергей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Одноэлектронный спектр короткопериодной InAs/GaSb сверхрешетки с интерфейсной компенсацией напряжений
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  354–358
2. Особенности скейлинга аномального эффекта Холла в нанокомпозитных пленках (CoFeB)$_x$(LiNbO$_3)_{100-x}$ ниже порога перколяции: Проявление со-туннельной холловской проводимости?
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:7 (2023),  519–525
3. Влияние эффектов электронного конфайнмента на ширину запрещенной зоны почти моноатомных слоев EuS$_2$
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:4 (2023),  263–269
4. Нестандартные особенности взаимодействия одиночных люминесцентных центров, сформированных ядрами частичных дислокаций в CdTe и ZnSe, с продольными оптическими фононами
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021),  96–101
5. Спектр излучения и стабильность двух типов электронно-дырочной жидкости в мелких Si/Si$_{1-x}$Ge$_{x}$Si квантовых ямах
   
   Физика твердого тела, 62:4 (2020),  529–536
6. Нестандартная кинетика низкотемпературной люминесценции микро- и нанопорошков антазной фазы диоксида титана
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  501–507
7. Антистоксова люминесценция объемного $\beta$-InSe и его тонких пленок при оптическом ИК-возбуждении
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:3 (2020),  160–164
8. Фотоэлектрические параметры фотоприемников на основе тонких микрокристаллических пленок перовскита CH$_{3}$NH$_{3}$PbI$_{3}$
   
   Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  31–34
9. Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1632–1640
10. Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации
    
    Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018),  371–377
11. Нагрев и испарение двумерной электронно-дырочной жидкости под действием тепловых импульсов
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:3 (2017),  164–169
12. Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te вблизи края собственного поглощения
    
    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  950–960
13. Плазмонное усиление интенсивности четырехчастичной излучательной рекомбинации в кремний-германиевых квантовых ямах
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016),  229–234
14. Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:3 (2016),  161–166
15. Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  108–113
16. Аномальный эффект Холла в поликристаллических пленках Si$_{1-x}$Mn$_{x}$ ($x\approx0.5$) с самоорганизованным распределением кристаллитов по форме и размерам
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016),  539–546
17. Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  700–705
18. Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  9–16
19. Сверхизлучение вырожденного экситонного газа в полупроводниках с непрямым краем собственного поглощения
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:5 (2014),  343–348
20. Исследования комплексных акцепторов в CdTe:Cl методом разностной спектроскопии
    
    Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013),  504–507
21. Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011),  63–67