Ундалов Юрий Константинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование $ncl$-Si в аморфной матрице $a$-SiO$_{x}$ : H, расположенной вблизи анода и на катоде, с помощью модулированной по времени DC-плазмы с (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1547–1556
2. Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1137–1144
3. Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе
   
   Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  538–548
4. Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  212–217
5. Люминесценция аморфных нанокластеров кремния
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  402–405
6. Фотоэлектрические свойства структур на основе CdGeP$_{2}$ и его бинарного аналога InP
   
   ЖТФ, 60:9 (1990),  174–176
7. Фотовольтаический эффект в барьерах $n$-CdO$-$CdGeP$_{2}$
   
   ЖТФ, 58:7 (1988),  1415–1419
8. Поляризационная фоточувствительность анизотипных структур $n$-SiO$_{2}{-}p$-CdGeP$_{2}\langle\text{Ga}\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1115–1116
9. Дихроизм кристаллов MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и фотоплеохроизм структур на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1101–1104
10. Фотоэлектрические свойства изотипного гетероперехода $n$-SnO$_{2}{-}n$-CdGeP$_{2}\langle$In$\rangle$
    
    ЖТФ, 56:10 (1986),  1989–1993