RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Сресели Ольга Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889
  2. Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116
  3. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
  4. Влияние условий кристаллизации на спектральные характеристики тонких пленок тетрафенилпорфирина

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  55–58
  5. Транспорт и фоточувствительность в структурах: композитный слой из наночастиц кремния и золота на $p$-Si

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1071–1075
  6. Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения

    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  921–925
  7. Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si

    Письма в ЖТФ, 44:7 (2018),  30–38
  8. Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния

    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  507–511
  9. Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  423–430
  10. Люминесценция аморфных нанокластеров кремния

    Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  402–405
  11. Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs

    Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001),  105–107
  12. Резонансные эффекты, обусловленные возбуждением ПЭВ при почти нормальном падении пучка света на синусоидальную поверхность

    ЖТФ, 61:6 (1991),  100–105
  13. Поверхностные электромагнитные волны и фотоприемники (обзор)

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1281–1296
  14. Узкополосные селективные фотоприемники на основе структур Шоттки

    Письма в ЖТФ, 16:6 (1990),  72–75
  15. Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе металл$-$полупроводник

    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  1966–1970
  16. Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении «медленных» поверхностных электромагнитных волн

    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  461–465
  17. Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  906–910
  18. Резонансная электролюминесценция структуры металл$-$полупроводник с гофрированной поверхностью

    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  757–760
  19. Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на неметаллических периодических структурах

    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  693–697
  20. Фотоответ структуры металл–полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом TE-поляризации

    Письма в ЖТФ, 13:5 (1987),  261–265
  21. Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  876–880
  22. Влияние оптических констант полупроводника на положение поляритонного пика фотоответа диодов Шоттки

    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1145–1149
  23. Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига

    ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148
  24. Фотоответ структуры полупроводник – металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1162–1165
  25. Исследование оптических переходов в полупроводниках фотоэлектрохимическим методом

    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  752–755
  26. Запись голограмм на металле методом фотохимического травления

    Письма в ЖТФ, 9:8 (1983),  471–474


© МИАН, 2024