|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 882–889
-
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1112–1116
-
Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 129–137
-
Влияние условий кристаллизации на спектральные характеристики тонких пленок тетрафенилпорфирина
Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 55–58
-
Транспорт и фоточувствительность в структурах: композитный слой из наночастиц кремния и золота на $p$-Si
Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1071–1075
-
Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения
Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 921–925
-
Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si
Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 30–38
-
Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 507–511
-
Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием
Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 423–430
-
Люминесценция аморфных нанокластеров кремния
Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 402–405
-
Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs
Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001), 105–107
-
Резонансные эффекты, обусловленные возбуждением ПЭВ при почти
нормальном падении пучка света на синусоидальную поверхность
ЖТФ, 61:6 (1991), 100–105
-
Поверхностные электромагнитные волны и фотоприемники
(обзор)
Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1281–1296
-
Узкополосные селективные фотоприемники на основе
структур Шоттки
Письма в ЖТФ, 16:6 (1990), 72–75
-
Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе
металл$-$полупроводник
Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 1966–1970
-
Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении
«медленных» поверхностных электромагнитных волн
Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 461–465
-
Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе
диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника
Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 906–910
-
Резонансная электролюминесценция структуры металл$-$полупроводник
с гофрированной поверхностью
Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 757–760
-
Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на неметаллических периодических структурах
Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 693–697
-
Фотоответ структуры металл–полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом TE-поляризации
Письма в ЖТФ, 13:5 (1987), 261–265
-
Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 876–880
-
Влияние оптических констант полупроводника на положение поляритонного пика фотоответа диодов Шоттки
Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1145–1149
-
Исследование особенностей плавления GaAs в условиях
двухдлинноволнового лазерного отжига
ЖТФ, 55:11 (1985), 2144–2148
-
Фотоответ структуры полупроводник – металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов
Письма в ЖТФ, 11:19 (1985), 1162–1165
-
Исследование оптических переходов в полупроводниках
фотоэлектрохимическим методом
Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 752–755
-
Запись голограмм на металле методом фотохимического травления
Письма в ЖТФ, 9:8 (1983), 471–474
© , 2024