Мельцер Борис Яковлевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  127–132
2. Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне
   
   Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  33–39
3. Влияние спин-орбитального взаимодействия на циклотронный резонанс двумерных электронов
   
   Письма в ЖЭТФ, 79:11 (2004),  674–679
4. Observation of a light-induced nonohmic current in a toroidal-moment-possessive nanostructure
   
   Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002),  547–549
5. Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле
   
   Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002),  258–262
6. Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода
   
   Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002),  463–466
7. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах
   
   УФН, 166:4 (1996),  423–428
8. Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722
9. Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов
   
   Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719
10. Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363
11. (In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  359–361
12. (Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  201–203
13. Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158
14. Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным $\delta$-легированием
    
    Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  68–71
15. Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  784–788
16. Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807
17. Воздействие акустических фононных импульсов на примесную люминесценцию полупроводниковых структур с квантовыми ямами
    
    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1843–1847
18. Внутрибарьерное рекомбинационное излучение многослойных структур GaAs$-$Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1184–1189
19. Собственная люминесценция резкого гетероперехода GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  353–356
20. Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565
21. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ
    
    ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147
22. Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203
23. Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  715–721
24. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274
25. Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  751–754