Меркулов Игорь Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спиновые системы квантовых точек
   
   УФН, 172:12 (2002),  1455–1458
2. К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1784–1794
3. Применение ренормгруппового эволюционного уравнения к описанию ядерных спиновых систем
   
   Физика твердого тела, 33:2 (1991),  429–437
4. Спектральное распределение поляризации оптически ориентированных фотоносителей в полупроводниках при индуцированных рекомбинационных оптических переходах
   
   Физика твердого тела, 33:1 (1991),  174–181
5. К теории формы линии горячей фотолюминесценции полупроводников
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  351–353
6. «Оптическая откачка» спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  104–109
7. Температурная зависимость свойств магнитного полярона, связанного на акцепторе
   
   Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2118–2127
8. Поляризация люминесценции и оптическая ориентация дырок в PbTe в стимулированном режиме
   
   Физика твердого тела, 30:1 (1988),  177–183
9. Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
   
   Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  628–633
10. Оптическая ориентация носителей заряда в полупроводнике в режиме стимулированной люминесценции
    
    Докл. АН СССР, 297:3 (1987),  584–587
11. К теории адиабатического размагничивания ядерной спиновой системы твердого тела
    
    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  2970–2977
12. Численное моделирование фазового перехода в ядерной спиновой системе арсенида галлия
    
    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2053–2060
13. Странный аттрактор в системе 4-го порядка, родственной системе Лоренца
    
    ЖТФ, 57:3 (1987),  550–554
14. Электропоглощение света глубокими примесными центрами в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны
    
    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2127–2134
15. Образование ячеистых структур на поверхности кремния при пикосекундном световом воздействии
    
    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1484–1488
16. Нейтральное состояние глубокого акцептора Cu$_{\text{Ga}}$ в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1617–1622
17. К теории деполяризации фотолюминесценции в полупроводниках типа арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1476–1480
18. Ячеистые структуры рельефа поверхности кремния при плавлении пикосекундном импульсом
    
    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  220–224
19. Анизотропия линейной поляризации горячей фотолюминесценции в $p$-GaAs
    
    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2650–2657
20. Ядерное поле и эффект Фарадея в полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1558–1559
21. Теория поляризации ядер полупроводника ориентированными электронами в условиях сильного квадрупольного расщепления ядерных спиновых уровней
    
    Физика твердого тела, 27:4 (1985),  1150–1157
22. Поляризация люминесценции $n$-InSb в сильном магнитном поле при двухфотонной накачке
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  722–728
23. Циркулярная поляризация горячей фотолюминесценции и спиновая деполяризация горячих электронов в кристаллах арсенида галлия
    
    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3369–3372


24. Владимир Иделевич Перель (К шестидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 156:3 (1988),  549–550