Абрамкин Д С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146
2. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1289–1295
3. Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1167–1171
4. Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  710–717
5. Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1373–1379
6. Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1280–1285
7. Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1565–1568
8. Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1282–1288
9. Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016),  785–791
10. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014),  175–180
11. Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014),  81–86
12. Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012),  601–603