Лундин Всеволод Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  733–737
2. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
3. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
4. Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390
5. Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6
6. ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  50–54
7. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
8. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
9. Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39
10. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
11. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
12. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
13. Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники
    
    Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1680–1683
14. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104
15. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
16. Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1451–1454
17. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
18. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
19. Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1064–1069
20. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
21. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
22. Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  40–48
23. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
24. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93
25. Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
    
    УФН, 171:8 (2001),  857–858