Шмидт Наталия Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  45–48
2. Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  555–561
3. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
4. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
5. Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
   
   Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  3–9
6. Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201
7. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
8. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
   
   Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86
9. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
   
   Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
10. Осцилляции в спектрах пороговой фотоэмиссии GaN (0001) с субмонослойными Cs покрытиями
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:5 (2003),  270–274
11. Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
    
    УФН, 171:8 (2001),  857–858
12. Диффузия Zn в InP и твердые растворы на его основе из полимерных пленочных диффузантов
    
    Письма в ЖТФ, 18:13 (1992),  35–38
13. Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2177–2180
14. Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2167–2171
15. Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
    
    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  848–854
16. Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе InGaAs/InP
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1807–1810
17. Исследование времени жизни неосновных носителей в узкозонной области диодных InGaAsP/InP-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1498–1501
18. Вынос неравновесной плазмы из коротких InP : Fe-фоторезисторов электрическим полем
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  70–74
19. Измерение АЧХ быстродействующих фотоприемников с использованием гомодинной стекловолоконной схемы получения амплитудных биений оптического сигнала
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1059–1062
20. Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения планарных кремниевых $p{-}n$ переходов
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2064–2066
21. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP
    
    ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
22. Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  668–673
23. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297
24. Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения
    
    Письма в ЖТФ, 9:24 (1983),  1516–1519