Быковский Юрий Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Скачок потенциала на лазерной мишени
   
   Квантовая электроника, 31:1 (2001),  45–49
2. Излучение оптически связанных полупроводниковых лазеров
   
   Квантовая электроника, 30:10 (2000),  867–872
3. Формирование характеристик ионной эмиссии лазерной плазмы в присутствии проводящей диафрагмы
   
   Квантовая электроника, 30:8 (2000),  719–720
4. Оптическая обработка информации с преобразованием пространственной когерентности света
   
   Квантовая электроника, 22:10 (1995),  1049–1054
5. Специализированный акустооптический процессор ввода, представления и когерентно-оптической обработки многопараметрической информации бортовых телеметрических систем
   
   Квантовая электроника, 22:10 (1995),  964–970
6. Квантово-размерный С³-лазер
   
   Квантовая электроника, 21:5 (1994),  414–416
7. Малогабаритный плазменный источник с капиллярным концентратором мягкого рентгеновского излучения
   
   Письма в ЖТФ, 18:10 (1992),  79–83
8. Ширина линии излучения С³-лазера
   
   Квантовая электроника, 19:11 (1992),  1062–1063
9. Инжекционный квантоворазмерный лазер с внешней оптической обратной связью
   
   Квантовая электроника, 19:7 (1992),  657–661
10. Исследование материалов с эффектом памяти формы для управления оптическим излучением
    
    ЖТФ, 61:9 (1991),  87–93
11. Структурные изменения эпитаксиальной пленки ZnSe/GaAs под действием мягкого рентгеновского излучения
    
    Письма в ЖТФ, 17:22 (1991),  57–61
12. Восстановление энергетических спектров ионов лазерно-разрядного источника, разрешенных по времени эмиссии, при помощи электродинамического масс-анализатора
    
    Письма в ЖТФ, 17:16 (1991),  70–75
13. Фотоэлектронная эмиссия с поверхностей материалов под действием импульсного коротковолнового излучения
    
    Письма в ЖТФ, 17:12 (1991),  5–8
14. Лазерный источник интенсивных пучков кластерных ионов углерода
    
    Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  43–46
15. Измерение смещений объектов методом спекл-фотографии с использованием элементов волоконной оптики
    
    Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  15–19
16. Взаимодействие двух лазерных плазм в вакууме и при наличии разреженного газа
    
    Квантовая электроника, 18:12 (1991),  1481–1483
17. Переходы между бистабильными состояниями инжекционного лазера с внешним резонатором при модуляции током
    
    Квантовая электроника, 18:11 (1991),  1306–1308
18. Исследование разлета лазерной плазмы в фоновый газ с помощью высокоскоростной фотографии
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  869–872
19. Зависимость энергетических спектров ионов золота и серебра от их концентрации в многокомпонентной лазерной плазме
    
    Квантовая электроника, 18:1 (1991),  79–81
20. Фокусирующие и дисперсионные свойства градиентных линз на основе щелочносиликогерманатных стекол
    
    ЖТФ, 60:12 (1990),  123–127
21. Волноводная корреляционная обработка с использованием в качестве фильтров сопряженных образцов сигналов
    
    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  1–5
22. Ионный источник для анализа короткоживущих изотопов на основе малоиндуктивного вакуумного разряда
    
    Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  49–53
23. Фокусировка и транспортировка рентгеновского излучения от лазерной плазмы
    
    Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  55–58
24. Обработка сигналов волоконного интерферометра с использованием голографической фильтрации
    
    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1490–1493
25. Амплитудная пространственная фильтрация в обработке сигналов одноволоконного многомодового интерферометра
    
    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1377–1378
26. Нелинейно-упругие эффекты при действии лазерного импульса на твердое тело
    
    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1314–1317
27. Коррелированная перестройка картины спеклов в интерферометре на многомодовом волоконном световоде
    
    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1080–1083
28. Исследование многоканального волноводного электрооптического модулятора как управляемого транспаранта
    
    Квантовая электроника, 17:5 (1990),  626–630
29. О захвате лазерной плазмой разреженного фонового газа
    
    Квантовая электроника, 17:5 (1990),  614–618
30. Спектральные характеристики инжекционных C³-лазеров на основе InGaAsP/InP
    
    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  410–411
31. Голографическая согласованная фильтрация сигналов в интерференционных датчиках на многомодовых волоконных световодах
    
    Квантовая электроника, 17:1 (1990),  95–98
32. Запись наложенных голограмм опорными волнами, кодированными при помощи многоканального фазового волноводного модулятора
    
    Письма в ЖТФ, 15:11 (1989),  19–23
33. Спектральные и масс-спектральные исследования разлета лазерной плазмы в разреженный газ
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2267–2270
34. Влияние процесса перезарядки на формирование характеристик лазерной плазмы из газосодержащих твердых тел
    
    Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2117–2120
35. Влияние ширины зазора, разделяющего секции C³-лазера, на спектр излучения
    
    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1593–1595
36. Перестроечные характеристики инжекционного лазера с коротким внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1128–1131
37. Вывод излучения из одночастотного GaAlAs/GaAs лазера с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 16:5 (1989),  957–960
38. Переходные процессы в C³-лазере
    
    Квантовая электроника, 16:5 (1989),  905–911
39. Влияние временной эволюции очага лазерного пробоя в прозрачных диэлектриках на акустические характеристики пробоя
    
    Квантовая электроника, 16:2 (1989),  308–310
40. Повышение отражательной способности оксида бериллия в среднем ИК диапазоне
    
    Квантовая электроника, 16:1 (1989),  159–161
41. Использование лазерной плазмы в качестве источника многозарядных ионов для циклотронов
    
    ЖТФ, 58:7 (1988),  1291–1298
42. Использование лазерного излучения микросекундной длительности для напыления алмазоподобных углеродных пленок
    
    Письма в ЖТФ, 14:24 (1988),  2257–2259
43. Отрицательные ионы лазерной плазмы
    
    Письма в ЖТФ, 14:10 (1988),  927–931
44. Мощный параметрический генератор света на LiNbO₃ для резонансной ИК лазерохимии
    
    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2038–2040
45. Динамическая перестройка частоты следования импульсов в инжекционнсм лазере с пассивной синхронизацией мод
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1724–1729
46. О возможности управления ИК отражением хаотически шероховатой поверхности ВеО посредством нанесения резонансных периодических структур
    
    Квантовая электроника, 15:4 (1988),  852–854
47. Акустические характеристики лазерного пробоя в кристаллическом аргоне
    
    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  393–398
48. Поверхностные поляритоны в моно- и поликристаллическом ВеО
    
    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  347–352
49. Оптические свойства монокристаллов оксосульфида лантана
    
    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  888–890
50. Микроволновое излучение локальных высокотемпературных плазменных образований
    
    ЖТФ, 57:9 (1987),  1828–1831
51. Формирование ультракороткого импульса света в инжекционном лазере с синхронизованными модами
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1217–1219
52. Катодолюминесценция в монокристаллах $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$ и $\gamma$-La$_{2}$S$_{3}$ : Nd
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1178–1180
53. Информационные характеристики волноводных голографических систем
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  538–543
54. Особенности катодолюминесценции неодима в оксосульфиде лантана
    
    Письма в ЖТФ, 13:2 (1987),  101–105
55. Формирование ударно-волновой структуры при разлете лазерной плазмы в разреженный газ
    
    Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2313–2316
56. Амплитудный модулятор света
    
    Квантовая электроника, 14:10 (1987),  2058–2060
57. Исследование образования и разлета ионов серебра в многокомпонентной лазерной плазме
    
    Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1675–1677
58. Анализ «анизотропных» свойств волноводных голограмм, сформированных на изотропных материалах
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  845–850
59. Коллимирование мягкого рентгеновского излучения
    
    Квантовая электроника, 14:3 (1987),  617–618
60. Неоднородные волноводы на основе полупроводниковых слоев CdS$_{1-x}$Se$_{x}$
    
    ЖТФ, 56:10 (1986),  2034–2036
61. Частично-когерентная голография. Ее свойства и применение
    
    Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1770–1784
62. Передача оптического сигнала с переключаемой по частоте несущей
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1061–1062
63. Особенности воздействия резонансного УФ лазерного излучения на нитроароматические кристаллы
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1022–1024
64. Метод регистрации следов частиц в трековых детекторах
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2067–2069
65. Исследование структур поверхностных сплавов хрома с оловом, сформированных методами ионного и лазерного легирования
    
    ЖТФ, 55:2 (1985),  431–434
66. Конденсация $Cd\,Te$, испаренного лазерным излучением микросекундной длительности
    
    Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1307–1311
67. О влиянии длины волны лазерного излучения на энергетический выход мягкого рентгеновского излучения из лазерной плазмы
    
    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  667–669
68. Исследование дисперсионных свойств оптических волноводов с металлическим покрытием
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2353–2355
69. Селективное воздействие лазерного излучения на молекулярные кристаллы
    
    Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1908–1913
70. Дисперсионные свойства оптических волноводов с металлическим покрытием
    
    Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1524–1526
71. Использование селективности растворения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников для формирования пассивных элементов интегральной оптики
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1302–1304
72. Формирование ионных пучков с высокой фазовой плотностью тока из нестационарной плазмы применительно к созданию ионных источников
    
    ЖТФ, 54:8 (1984),  1628–1631
73. О создании лазерного источника нейтральных атомов для коллективного ускорителя
    
    ЖТФ, 54:3 (1984),  527–533
74. Возможности создания волноводных оптических процессоров на основе пленок халькогенидных стекол
    
    Письма в ЖТФ, 10:12 (1984),  725–730
75. Стабильность ОВ на основе ХСП в условиях облучения большими дозами нейтронов
    
    Письма в ЖТФ, 10:9 (1984),  547–549
76. Формирование волноведущих каналов в оптических волокнах на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников
    
    Письма в ЖТФ, 10:6 (1984),  377–381
77. Имплантация легирующих примесей в InSb с помощью лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 11:11 (1984),  2172–2176
78. Мощный параметрический генератор света на LiJO₃ для ИК лазерной химии
    
    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1847–1850
79. Поляризационные свойства многоканальных оптических волокон ИК диапазона
    
    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1690–1692
80. Магнитное поле на фронте лазерной плазмы, разлетающейся в фоновую среду
    
    Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1471–1473
81. Анизотропные дифракционно-решетчатые структуры для интегрально-оптических схем
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1255–1257
82. Исследование органических фотохромных материалов для записи волноводных программ
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1250–1253
83. Интегрально-оптический смеситель в тонкопленочном волноводе на основе анизотропных дифракционно-решетчатых структур для многоканальных волоконно-оптических линий связи
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  581–585
84. Влияние преломления ионного луча на границе электрического поля в масс-спектрографе с лазерным источником ионов
    
    ЖТФ, 53:2 (1983),  351–354
85. Исследование лазерной плазмы с целью разработки источника многозарядных ионов для циклотронов в области легких элементов Li, Be, С
    
    ЖТФ, 53:1 (1983),  94–99
86. Исследование пленочных МДП-структур на основе CdTe$-$InSb
    
    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1071–1074
87. Эффект гигантского увеличения сопротивления кремния при сверхточной компенсации
    
    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  983–987
88. Осуществление ускорения ионов C$^{3+}_{12}$ из лазерной плазмы в циклотроне
    
    Письма в ЖТФ, 9:5 (1983),  261–263
89. Экранирующее действие кратера при локальном и послойном анализе в масс-спектрографе с лазерно-плазменным источником ионов
    
    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1348–1352
90. Воздействие лазерного импульса на мишень. I. Фотоэлектронный механизм генерации спонтанного магнитного поля
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  523–534
91. Исследование лазер-плазменного источника мягкого рентгеновского излучения при плотностях потока 5·10¹¹–2·10¹⁴ Вт/см²
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1525–1529
92. О светочувствительности слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников при импульсной записи голограмм
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  786–788
93. Исследование дифракции световых волн в плоскости волновода на динамических решетках, индуцированных светом
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  676–681
94. Исследование оптических волокон из As₂S₃ для устройств согласования планарных и цилиндрических волноводов
    
    Квантовая электроника, 9:1 (1982),  25–32
95. Исследование неколлинеарной брегговской дифракции на гофрированных решетчатых структурах в диффузионных волноводах
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  2032–2034
96. Исследование интегрально-оптических лунберговских линз, изготовленных методом лазерного напыления
    
    Квантовая электроника, 8:3 (1981),  650–653
97. Исследование прохождения импульсов ультракороткой длительности через волноводный резонатор с распределенными брегговскими зеркалами
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  412–414
98. Интегральная пара РОС-генератор – усилитель на GaAs
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  250–255
99. Влияние изменения толщины волновода на эффективность брэгговской дифракции излучения на решетчатых структурах
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2362–2366
100. Получение тонкопленочных волноводов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников методом лазерного напыления
     
     Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1132–1133
101. Исследование поляризационной модуляции излучения в полосковых волноводах гребенчатого типа под действием механических нагрузок
     
     Квантовая электроника, 7:1 (1980),  194–195
102. Электрооптические модуляторы излучения на основе полупроводниковых волноводов гребенчатого типа
     
     Квантовая электроника, 7:1 (1980),  110–115
103. О голографическом распознавании «простых» объектов
     
     Квантовая электроника, 6:9 (1979),  2016–2023
104. Акустические характеристики лазерного пробоя в прозрачных диэлектриках
     
     Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1730–1734
105. Особенности эмиссии мягкого рентгеновского излучения из лазерной плазмы при умеренных значениях интенсивности лазерного излучения на мишени
     
     Квантовая электроника, 6:2 (1979),  414–417
106. Полупроводниковый лазер с голографическим селектором
     
     Квантовая электроника, 6:2 (1979),  386–387
107. Лазерный пробой в кристаллическом аргоне как модель высокоэнергетических быстропротекающих процессов
     
     Квантовая электроника, 6:1 (1979),  86–91
108. Полупроводниковые РОС-лазеры, работающие в высших порядках брегговского взаимодействия
     
     Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2654–2656
109. Объемные дифракционные решетки с наклонными слоями в тонкопленочных оптических волноводах
     
     Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2628–2630
110. Поверхностные волны в элементах интегральной оптики с распределенной связью (обзор)
     
     Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2309–2331
111. Фотоприемные элементы и дифракционные решетки рельефного типа в тонких пленках As₂S₃ для интегральной оптики
     
     Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1090–1094
112. Интегрально-оптический смеситель в тонкопленочном волноводе на основе фазовых дифракционных решеток для многоканальных оптических линий связи
     
     Квантовая электроника, 5:3 (1978),  508–514
113. Влияние столкновения потоков лазерной плазмы в конусных мишенях на ее параметры на поздних стадиях разлета
     
     Квантовая электроника, 5:2 (1978),  337–343
114. Использование оптических волокон для записи Фурье-голограмм с высокой информативной плотностью
     
     Квантовая электроника, 5:1 (1978),  223–225
115. Электрооптическая фазовая модуляция излучения в тонкопленочных волноводах на основе эпитаксиальных слоев GaAsP
     
     Квантовая электроника, 5:1 (1978),  146–147
116. Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики
     
     Квантовая электроника, 5:1 (1978),  135–138
117. Фунциональные элементы интегрально-оптических схем на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур
     
     Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2007–2009
118. Об осуществлении ускорения ядер углерода, полученных в лазерном инжекторе, на синхрофазотроне Объединенного института ядерных исследований
     
     Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1547–1549
119. Лазерная плазма как источник мягкого рентгеновского излучения
     
     Квантовая электроника, 4:5 (1977),  965–969
120. Волноводные структуры и функциональные элементы интегрально-оптических схем на основе объемных голографических решеток в тонких пленках As₂S₃
     
     Квантовая электроника, 4:3 (1977),  629–637
121. Резонансная раскачка электромагнитным полем поверхностных колебаний жидкой капли
     
     Квантовая электроника, 3:1 (1976),  157–162
122. Модуляция лазерного излучения в жидкостных тонкопленочных волноводах
     
     Квантовая электроника, 2:11 (1975),  2499–2508
123. Полупроводниковый лазер на GaAs с распределенной обратной связью и накачкой электронным пучком
     
     Квантовая электроника, 2:9 (1975),  1957–1962
124. Получение голограмм с помощью моноимпульсных одномодовых полупроводниковых лазеров
     
     Квантовая электроника, 2:5 (1975),  1074–1078
125. Электроны лазерной плазмы
     
     Квантовая электроника, 2:5 (1975),  989–994
126. Связь интегральных оптических схем с волоконными световодами
     
     Квантовая электроника, 2:4 (1975),  844–847
127. Согласование излучения полупроводникового лазера на GaAs пленочными волноводными структурами на основе (AlGa) As
     
     Квантовая электроника, 2:4 (1975),  826–830
128. Когерентность излучения полупроводниковых лазеров и их использование в голографии (обзор)
     
     Квантовая электроника, 2:4 (1975),  645–656
129. Управление излучением в тонкопленочных волноводах путем модуляции параметров призменных устройств связи
     
     Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2630–2633
130. Считывание голограмм с плотностью записи 10⁵ бит/мм² при помощи излучения полупроводникового лазера
     
     Квантовая электроника, 1:11 (1974),  2503–2506
131. Селективное возбуждение волноводных мод и измерение параметров пленочных гетероструктур на основе Al_xGa_1–xAs–GaAs для целей интегральной оптики
     
     Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1880–1882
132. Тонкопленочные диэлектрические волноводы с металлическими покрытиями
     
     Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1747–1751
133. Пространственная структура разлета лазерной плазмы, состоящей из ионов и ядер алюминия
     
     Квантовая электроника, 1:3 (1974),  709–711
134. Изменение длительности импульса лазера на двуокиси углерода при синхронизации мод
     
     Квантовая электроника, 1:2 (1974),  447–449
135. Моноимпульсная голография на инжекционных лазерах
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  217–219
136. Применение пленочных волноводов в оптоэлектронике для считывания информации с голограмм
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  208–211
137. Наблюдение сверхтонкой структуры селективного отражения от паров Cs¹³³ с помощью полупроводникового лазера
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  146–149
138. Полупроводниковые лазеры с гетероструктурой при электронной накачке
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  141–143
139. Параметры четырехчастотного лазера на двуокиси углерода с поперечным разрядом
     
     Квантовая электроника, 1973, № 2(14),  75–77
140. Двухфотонное поглощение в прустите
     
     Квантовая электроника, 1973, № 2(14),  74–75
141. Голографическая расшифровка оптических спектров
     
     Квантовая электроника, 1973, № 1(13),  109–111
142. Когерентность излучения импульсного одномодового инжекционного полупроводникового квантового генератора
     
     Докл. АН СССР, 203:5 (1972),  1027–1029
143. Коэффициенты нелинейной поляризации прустита и теллура
     
     Квантовая электроника, 1972, № 2(8),  105–107
144. Ударные волны, возникающие при воздействии лазерного излучения на прозрачные тела
     
     Квантовая электроника, 1971, № 6,  126–128
145. Частотная модуляция полупроводникового лазера током инжекции
     
     Квантовая электроника, 1971, № 3,  90–92
146. Новые фотографические слои высокого разрешения и их исследование методом голографической резольвометрии
     
     Докл. АН СССР, 185:3 (1969),  552–554
147. Об анизотропии четного (поперечного) фотомагнитного эффекта в монокристаллах германия
     
     Докл. АН СССР, 116:3 (1957),  381–384


148. Памяти Игоря Владимировича Савельева
     
     УФН, 170:2 (2000),  205–206
149. Специальный выпуск по оптической обработке информации
     
     Квантовая электроника, 22:10 (1995),  963
150. Поправка к статье: Влияние временной эволюции очага лазерного пробоя в прозрачных диэлектриках на акустические характеристики пробоя
     
     Квантовая электроника, 16:7 (1989),  1535