Шерняков Юрий Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
2. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
3. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
4. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
5. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
6. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
7. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
8. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
9. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
10. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
11. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
12. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
13. Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами
    
    УФН, 169:4 (1999),  459–464
14. Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H
    
    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  710–716
15. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2217–2221
16. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом
    
    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  664–668
17. Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  557–561
18. Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной $p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  502–506
19. Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  753–755