Осипов Андрей Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
2. Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202
3. Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033
4. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624
5. Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111
6. Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  7–10
7. Термодинамическая стабильность твердых растворов In$_{x}$Ga$_{1-x}$N
   
   Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  51–54
8. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
9. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
10. Влияние пористости слоя кремния на упругие свойства гибридных подложек SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  25–28
11. Оптические свойства, зонная структура и проводимость межфазной границы раздела гетероструктуры 3$C$-SiC(111)/Si(111), выращенной методом замещения атомов
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  3–5
12. Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  3–6
13. Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC
    
    Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  19–22
14. Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  28–31
15. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  36–38
16. Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  22–25
17. Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2334–2337
18. Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2313–2315
19. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
20. Пути политипных превращений в карбиде кремния
    
    Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1443–1447
21. Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  587–593
22. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
23. Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2$H$ и 4$H$ карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  422–425
24. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
25. Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  11–14
26. Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27
27. Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  17–20
28. Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
    
    Физика твердого тела, 60:10 (2018),  2022–2027
29. Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1841–1846
30. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
31. Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  499–504
32. Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  656–663
33. MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522
34. ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
    
    Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2403–2408
35. Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния
    
    Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1214–1217
36. Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 59:5 (2017),  986–998
37. Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
    
    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  755–761
38. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667
39. Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 59:2 (2017),  385–388
40. Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния
    
    Физика твердого тела, 59:1 (2017),  30–35
41. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
42. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658
43. Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  414–420
44. Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов
    
    Письма в ЖТФ, 43:13 (2017),  81–88
45. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889
46. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817
47. Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1398–1402
48. Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах
    
    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  941–949
49. Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  937–940
50. Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния
    
    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  725–729
51. Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии
    
    Физика твердого тела, 58:3 (2016),  612–615
52. Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1348–1352
53. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  51–57
54. Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  64–72
55. Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии
    
    Письма в ЖТФ, 42:4 (2016),  16–22
56. Процессы конденсации тонких пленок
    
    УФН, 168:10 (1998),  1083–1116
57. Расщепление дисклинаций и трансформация «кристалл$-$стекло» при механическом сплавлении
    
    Физика твердого тела, 34:1 (1992),  288–292