|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние кристаллической структуры подложки на магнитную анизотропию плeнок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx0.5$)
Физика твердого тела, 63:10 (2021), 1527–1531
-
Влияние температур роста и постростового отжига на магнитные свойства наночастиц Mn$_{1+x}$Sb, внедренных в тонкие пленки GaSb
Физика твердого тела, 62:2 (2020), 203–207
-
Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb
Физика твердого тела, 61:4 (2019), 652–658
-
Лазерный отжиг тонких пленок ITO на гибких органических подложках
Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 169–173
-
Влияние плотности энергии лазерного пучка на магнитные свойства тонких пленок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx$ 0.5), приготовленных методом импульсного лазерного осаждения
Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2147–2151
-
Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si$_{1-x}$Mn$_{x}$, синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1313–1316
-
Люминесцентные свойства тонких пленок Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O
Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 272–275
-
Времяпролетные характеристики лазерного факела при абляции мишени MnSi в атмосфере аргона
Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 103–110
-
Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO$_{2}$ : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 426–430
-
Аномальный эффект Холла в поликристаллических пленках Si$_{1-x}$Mn$_{x}$ ($x\approx0.5$) с самоорганизованным распределением кристаллитов по форме и размерам
Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016), 539–546
-
Тонкие плeнки сульфида кадмия для фотовольтаики
Comp. nanotechnol., 2014, № 1, 68–73
-
Влияние энергии факела на характеристики пленок SnО$_2$:Sb при использовании безкапельного метода ИЛО
Comp. nanotechnol., 2014, № 1, 62–67
-
Свойства пленок VO$_2$, полученных методом ИЛО в бескапельном режиме
Comp. nanotechnol., 2014, № 1, 56–61
-
Высокотемпературный ферромагнетизм нестехиометрических
сплавов Si$_{1-x}$Mn$_x$ ($x\approx0.5$)
Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012), 272–280
-
Электролюминесценция полупроводниковых гетероструктур на основе оксида цинка
Квантовая электроника, 41:1 (2011), 4–7
-
Зондовые исследования эрозионного факела при абляции тантала в вакууме излучением эксимерного лазера с длиной волны 308 нм
Квантовая электроника, 31:2 (2001), 159–163
-
Динамика пробивки канала в стекле и образование структур под действием модулированного излучения технологического СО2-лазера
Квантовая электроника, 24:8 (1997), 704–708
-
Влияние турбулентной диффузии на усиление излучения в секционированной разрядной камере быстропроточного СО2-лазера
Квантовая электроника, 22:5 (1995), 485–487
-
ИК люминесцентная диагностика технологического быстропроточного СО2-лазера с перекрестной системой электродов
Квантовая электроника, 21:12 (1994), 1151–1156
© , 2024